MGD3162AM550EK （訂購料號：MGD3162AM550EK ）是恩智浦一款面向高可靠性汽車應用的電隔離單通道柵極驅(qū)動器，專為驅(qū)動電動汽車（xEV）牽引逆變器中的碳化硅（SiC）和IGBT功率模塊而設計。其集成了多項可編程功能與高級保護機制，滿足ASIL C/D功能安全等級要求，并已通過AEC-Q100 1級認證，適用于嚴苛的車載環(huán)境。代理銷售恩智浦旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您提供MGD3162AM550EK中文參數(shù)詳解，附原理圖。

MGD3162AM550EK中文參數(shù)詳解

MGD3162AM550EK支持通過SPI接口進行配置，實現(xiàn)動態(tài)柵極驅(qū)動強度調(diào)節(jié)，輸出源/灌電流可達10/20/30 A（峰值），配合集成的升壓電路，確保在高開關(guān)頻率下仍能有效驅(qū)動大柵極電荷器件。最大VCC輸出電壓達25 V，兼容SiC MOSFET所需的正向柵壓需求。此外，可編程ADC采樣延遲（最高8 μs）可精確對齊PWM邊沿，提升電流檢測精度，優(yōu)化控制環(huán)路響應。

在保護功能方面，MGD3162AM550EK集成了高壓溫度傳感（TSENSE）接口，支持NTC熱敏電阻或二極管傳感器輸入，且增益與偏置可調(diào)，便于實現(xiàn)模塊級熱監(jiān)控。其VCE退飽和（Desat）檢測響應時間小于1 μs（針對SiC器件），可快速識別短路故障并觸發(fā)關(guān)斷動作。器件支持可編程兩電平關(guān)斷（2LTO）與軟關(guān)斷（SSD），有效抑制關(guān)斷過程中的電壓過沖，提升系統(tǒng)可靠性。改進的PWM死區(qū)時間控制范圍有助于降低SiC器件的開關(guān)損耗，提高逆變器效率。

功能安全方面，該驅(qū)動器內(nèi)置高壓故障隔離管理（FSISO），并通過獨立的故障中斷引腳（INTA）上報異常狀態(tài)，實現(xiàn)與MCU或安全監(jiān)控邏輯的協(xié)同處理。可編程VCE監(jiān)控功能可用于持續(xù)監(jiān)測功率管工作狀態(tài)，增強系統(tǒng)診斷能力。同時，支持MCU或安全邏輯控制下的主動放電功能，確保直流母線電容在故障或停機時安全泄放。

電氣隔離性能方面，MGD3162AM550EK具備優(yōu)異的抗噪聲能力，最小共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）超過100 V/ns，保障高速開關(guān)下的信號完整性。器件提供5,000 Vrms（RMS）的電流隔離額定值，符合UL1577標準，適用于高電壓、高噪聲工業(yè)與汽車環(huán)境。

典型應用場景包括電動汽車與混合動力汽車的牽引逆變器，以及高功率工業(yè)電機驅(qū)動系統(tǒng)。憑借其高集成度、可配置性與功能安全性，MGD3162AM550EK為下一代高效、高功率密度電力電子系統(tǒng)提供了可靠的柵極驅(qū)動解決方案。

MGD3162AM550EK原理圖

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