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英飛凌數字控制+GaN方案賦能Anker 160W三口快充,樹立高功率密度新標桿
發(fā)布時間:2025-12-08
英飛凌在消費電子快充產品持續(xù)向“小體積、高功率、高能效”演進的賽道上,功率密度已成為衡量技術實力的核心指標。2025年IFA柏林國際電子消費品展上,安克(Anker)正式發(fā)布 Prime 160W 三口氮化鎵(GaN),單口最高支持140W輸出,三口同時滿載可達160W,...
H橋降壓-升壓IC的交替控制策略與瞬態(tài)響應優(yōu)化
發(fā)布時間:2025-12-08
在輸入電壓可能高于或低于輸出電壓的應用中(如電池供電系統(tǒng)、LED驅動、便攜設備電源),H橋降壓-升壓(Buck-Boost)單級轉換器因其無需變壓器、成本低于SEPIC等拓撲而廣受青睞。然而,其多模態(tài)切換特性對控制環(huán)路設計和瞬態(tài)響應提出了挑戰(zhàn)。本文從工...
英集芯發(fā)布雙方案應對新國標,助力移動電源實現電池安全智能監(jiān)測
發(fā)布時間:2025-12-08
隨著《移動電源安全技術規(guī)范》新國標(征求意見稿)的發(fā)布,行業(yè)正從“僅提供電能”向“具備電池狀態(tài)感知與信息交互能力”的智能終端轉型。新規(guī)明確要求移動電源需實時采集并傳輸 電池電壓、溫度、電流、循環(huán)次數及異常事件 等關鍵安全數據。為...
Vishay VORA1150:1500V車規(guī)固態(tài)繼電器,專為800V電池絕緣監(jiān)測設計
發(fā)布時間:2025-12-07
VORA1150 是Vishay(威世半導體)一款 AEC-Q102認證的汽車級1 Form A固態(tài)繼電器(SSR),采用緊湊型 4引腳SMD-8封裝,專為800V電池系統(tǒng)的 絕緣電阻監(jiān)測(IMD) 與 預充電控制 等關鍵功能而優(yōu)化。關鍵電氣特性與安全合規(guī)VORA1150的核心參數直擊高壓監(jiān)測痛...
Vishay VEML4031X00 榮膺2025全球電子成就獎,定義車載環(huán)境光傳感新標桿
發(fā)布時間:2025-12-07
在智能座艙對人機交互體驗要求日益嚴苛的背景下,環(huán)境光傳感器(ALS)正從“輔助功能”升級為“關鍵感知元件”。近日,Vishay(威世)旗下 VEML4031X00 環(huán)境光傳感器 憑借其突破性的封裝尺寸、車規(guī)級可靠性與類人眼光譜響應特性,榮獲 2025 AspenCore ...
川土微發(fā)布CA-IS3217/8-Q1增強型隔離柵極驅動器,集成高精度ADC與多重保護
發(fā)布時間:2025-12-07
在新能源汽車電驅、高效能源轉換等關鍵系統(tǒng)中,功率器件的驅動與保護性能直接決定了系統(tǒng)的可靠性和能效表現。川土微電子近期推出的 CA-IS3217/8-Q1 系列增強型隔離柵極驅動器,集成了 ±10A 強驅動能力、隔離ADC(精度±0.5%)、快速DESAT保護 與...
新唐發(fā)布純數字音頻DSP NPCA112D,以可視化調音賦能智能音響升級
發(fā)布時間:2025-12-07
在智能音頻設備競爭日益激烈的今天,音質已從“能聽”邁向“好聽”乃至“沉浸式體驗”的新階段。數字信號處理器(DSP)作為音效調校的核心引擎,正成為高端音響、TWS耳機及專業(yè)音頻產品的關鍵差異化組件。新唐科技(Nuvoton)近日推出全新 純數字接口...
ADI發(fā)布高壓同步采樣ADC AD4858,8通道20位精度直擊精密測試痛點
發(fā)布時間:2025-12-07
在高端儀器儀表與半導體測試設備對信號采集精度、通道密度和系統(tǒng)簡化需求持續(xù)攀升的背景下,Analog Devices, Inc.(ADI)正式推出 AD4858——一款面向高壓場景的 8通道、20位、1 MSPS 同步采樣數據采集系統(tǒng)(DAS)。該器件作為ADI同步采樣ADC家族的...
MAX42500:高集成度多通道電源監(jiān)控SoC,支持SIL 3安全等級
發(fā)布時間:2025-12-06
MAX42500 是Maxim Integrated(現為ADI公司旗下)一款高度集成的片上系統(tǒng)(SoC)電源監(jiān)視器,集成了 7路獨立電壓監(jiān)控通道、可編程電源序列記錄器(FPSR)、I2C可配置看門狗 與 靈活復位輸出,適用于要求達到 IEC 61508 SIL 3 安全等級的應用。代理銷售AD...
意法半導體GaN專用半橋驅動器樹立高效電源新標桿
發(fā)布時間:2025-12-06
在追求更高能效與更小體積的功率電子時代,氮化鎵(GaN)器件正加速替代傳統(tǒng)硅基MOSFET。然而,要充分發(fā)揮GaN高速開關的優(yōu)勢,離不開匹配的高性能柵極驅動器。意法半導體原廠代理授權、原廠貨源-中芯巨能推薦您使用專為增強型N溝道GaN晶體管設計的...
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