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MGD3162AM550EK (恩智浦高壓隔離柵極驅(qū)動器)中文參數(shù)詳解 附引腳圖及原理圖
發(fā)布時間:2025-08-17
MGD3162AM550EK (訂購料號:MGD3162AM550EK )是恩智浦一款面向高可靠性汽車應(yīng)用的電隔離單通道柵極驅(qū)動器,專為驅(qū)動電動汽車(xEV)牽引逆變器中的碳化硅(SiC)和IGBT功率模塊而設(shè)計。其集成了多項可編程功能與高級保護(hù)機(jī)制,滿足ASIL C/D功能安全等級要...
GS6011:低失調(diào)可編程運(yùn)算放大器
發(fā)布時間:2025-08-17
輸入失調(diào)電壓(Input Offset Voltage, Vos)是衡量運(yùn)算放大器精度的核心參數(shù)之一。理想運(yùn)放中,當(dāng)兩輸入端電壓相等(即差分輸入為零)時,輸出應(yīng)為零。然而,由于制造工藝中晶體管、電阻等元件的微小失配,實(shí)際運(yùn)放即使在輸入短接時,輸出仍存在等效的微小...
STSPIN32G4:高集成三相電機(jī)控制器技術(shù)解析
發(fā)布時間:2025-08-16
STSPIN32G4是意法半導(dǎo)體推出的高集成度、高靈活性的三相無刷電機(jī)控制器,集成了柵極驅(qū)動、電源管理與高性能MCU,適用于工業(yè)控制、家電、電動工具及機(jī)器人等對空間和效率要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場景。其系統(tǒng)級封裝(SiP)設(shè)計顯著減少外圍元件數(shù)量,優(yōu)化PCB...
R5F513T5A (瑞薩32位微控制器)中文參數(shù)詳解 附引腳圖及原理圖
發(fā)布時間:2025-08-16
R5F513T5A是瑞薩電子RX13T系列中的一款32位微控制器,專為高效、高集成度的無刷直流(BLDC)與永磁同步電機(jī)(PMSM)變頻控制應(yīng)用設(shè)計。該器件基于RXv1 CPU內(nèi)核,主頻32MHz,提供3.12 CoreMark/MHz的處理性能,集成浮點(diǎn)運(yùn)算單元(FPU),顯著提升電機(jī)控制算法中...
R5F513T3A (瑞薩32位微控制器)中文參數(shù)詳解 附引腳圖及原理圖
發(fā)布時間:2025-08-16
R5F513T3A是瑞薩電子RX13T系列中的一款32位微控制器,專為高效、低成本的無刷直流(BLDC)與永磁同步電機(jī)(PMSM)變頻控制應(yīng)用設(shè)計。該器件基于RXv1 CPU內(nèi)核,主頻32MHz,提供高達(dá)99.84 CoreMark/MHz的處理性能(3.12 CoreMark/MHz),集成浮點(diǎn)運(yùn)算單元(FPU),顯...
恩智浦AI智能眼鏡的低功耗設(shè)計挑戰(zhàn)與解決方案
發(fā)布時間:2025-08-16
隨著AI技術(shù)的進(jìn)步,智能眼鏡逐漸從科幻走向現(xiàn)實(shí),廣泛應(yīng)用于個人助理、健康管理等多個領(lǐng)域。然而,這類設(shè)備面臨著電池續(xù)航能力的嚴(yán)峻挑戰(zhàn),尤其是當(dāng)其電池容量通常僅為200~300mAh時。為了應(yīng)對這一問題,工程師們采用了一系列創(chuàng)新架構(gòu)和技術(shù)。電力挑...
英飛凌全新12V車用MOSFET產(chǎn)品組合簡介
發(fā)布時間:2025-08-16
在汽車電子系統(tǒng)日益復(fù)雜化的趨勢下,英飛凌科技推出專為12V車載電路板網(wǎng)絡(luò)設(shè)計的創(chuàng)新MOSFET產(chǎn)品組合,全面滿足現(xiàn)代汽車在功率密度、可靠性和空間利用方面的嚴(yán)苛需求。該系列器件廣泛適用于車身控制模塊、車燈驅(qū)動、電動座椅、車窗升降、風(fēng)扇...
安世半導(dǎo)體推出1V保護(hù)二極管,適配USB4高頻接口
發(fā)布時間:2025-08-15
近日,安世半導(dǎo)體(Nexperia)宣布推出五款新型1V保護(hù)二極管,專為高速交流耦合射頻(RF)信號鏈路設(shè)計,旨在滿足USB4?和Thunderbolt?等超高速接口日益嚴(yán)苛的ESD與浪涌防護(hù)需求。新產(chǎn)品包括PESD1V0C1BSF、PESD1V0H1BSF等型號,面向智能手機(jī)、便攜設(shè)備、...
英飛凌推OptiMOS? 6 150V,重塑功率MOSFET性能標(biāo)桿
發(fā)布時間:2025-08-15
2025年8月5日,全球半導(dǎo)體巨頭英飛凌(Infineon)正式發(fā)布其最新一代OptiMOS? 6 150V功率MOSFET技術(shù),旨在為高能效電源系統(tǒng)樹立全新行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。該技術(shù)憑借突破性的性能指標(biāo),全面覆蓋從數(shù)據(jù)中心、電信基礎(chǔ)設(shè)施到電動出行與可再生能源等多個關(guān)鍵領(lǐng)域...
恩智浦MCX E系列微控制器:應(yīng)對邊緣計算挑戰(zhàn)的理想選擇
發(fā)布時間:2025-08-15
一、邊緣計算需求驅(qū)動MCX E系列誕生隨著邊緣設(shè)備部署范圍的不斷擴(kuò)大,應(yīng)用場景日益復(fù)雜,對微控制器(MCU)的韌性和性能提出了更高的要求。恩智浦推出的MCX E系列微控制器基于Arm Cortex-M4F內(nèi)核,專為在電氣和熱環(huán)境極端復(fù)雜的場景中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定控制...
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