2025年8月5日，全球半導(dǎo)體巨頭英飛凌（Infineon）正式發(fā)布其最新一代OptiMOS? 6 150V功率MOSFET技術(shù)，旨在為高能效電源系統(tǒng)樹立全新行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。該技術(shù)憑借突破性的性能指標(biāo)，全面覆蓋從數(shù)據(jù)中心、電信基礎(chǔ)設(shè)施到電動(dòng)出行與可再生能源等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域，助力客戶實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、系統(tǒng)效率與長期可靠性。

作為OptiMOS? 5的升級迭代產(chǎn)品，OptiMOS? 6 150V在多項(xiàng)核心參數(shù)上實(shí)現(xiàn)顯著躍升。其中，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）較前代產(chǎn)品最高降低41%，顯著減少傳導(dǎo)損耗；同時(shí)，其柵極電荷-導(dǎo)通電阻乘積（FOMg）和柵極電荷-輸出電荷乘積（FOMgd）分別優(yōu)化20%和17%，大幅降低開關(guān)損耗，尤其適用于高頻硬開關(guān)與軟開關(guān)拓?fù)洹?/p>

在動(dòng)態(tài)性能方面，OptiMOS? 6 150V展現(xiàn)出行業(yè)領(lǐng)先的反向恢復(fù)電荷（Qrr）表現(xiàn)，為150V器件中最低水平，有效抑制開關(guān)過程中的能量損耗與電磁干擾（EMI）。此外，二極管軟度的優(yōu)化進(jìn)一步降低了電壓過沖與振鈴現(xiàn)象，提升系統(tǒng)EMI表現(xiàn)，簡化濾波設(shè)計(jì)。配合嚴(yán)格的柵極閾值電壓（Vgs(th)）容差（±500mV），確保多管并聯(lián)應(yīng)用中的電流均衡性，提升整體系統(tǒng)穩(wěn)定性。

可靠性同樣是該系列的核心亮點(diǎn)。器件支持最高175°C的結(jié)溫（Tj），并具備高雪崩耐量，滿足嚴(yán)苛工業(yè)環(huán)境下的長期運(yùn)行需求。所有產(chǎn)品均符合MSL1等級，適用于無鉛回流焊工藝，保障生產(chǎn)良率與產(chǎn)品一致性。

為適配多樣化的應(yīng)用需求，OptiMOS? 6 150V提供豐富的封裝選擇，包括SuperSO8、PQFN 3.3x3.3、TOLG、TOLL、TOLT、D2PAK（3針與7針）以及TO-220等，兼顧高功率密度與散熱性能，便于工程師靈活設(shè)計(jì)。

目標(biāo)應(yīng)用廣泛覆蓋：在服務(wù)器與電信SMPS中，可提升能效并縮小電源體積；在輕型電動(dòng)車（LEV）、電動(dòng)叉車及電動(dòng)工具中，增強(qiáng)動(dòng)力系統(tǒng)效率與續(xù)航能力；在太陽能優(yōu)化器和大功率USB-PD充電器中，實(shí)現(xiàn)更緊湊、更高效的能量轉(zhuǎn)換方案。

英飛凌表示，OptiMOS? 6 150V的推出，標(biāo)志著功率MOSFET技術(shù)在效率與集成度上的又一次飛躍，將持續(xù)推動(dòng)綠色能源與智能電力系統(tǒng)的創(chuàng)新發(fā)展。

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