隨著全球電動汽車（EV）滲透率快速提升，充電基礎(chǔ)設(shè)施正從“能用”邁向“好用”——尤其是350kW以上超快充成為高端車型標(biāo)配，對功率密度、轉(zhuǎn)換效率與系統(tǒng)可靠性提出前所未有的挑戰(zhàn)。在此背景下，安森美（onsemi）憑借其EliteSiC碳化硅MOSFET與Field Stop 7 IGBT技術(shù)組合，推出覆蓋22kW至350kW+的直流快充（DCFC）全棧解決方案，并同步發(fā)布兩款關(guān)鍵評估平臺，助力開發(fā)者高效驗(yàn)證高功率拓?fù)洹?/p>

在直流充電樁中，交流電網(wǎng)電能需經(jīng)PFC（功率因數(shù)校正）和DC-DC兩級轉(zhuǎn)換后輸出高壓直流，直接為400V或800V電池包充電。傳統(tǒng)硅基器件在高頻高壓下?lián)p耗大、溫升高，難以滿足超充需求。而SiC器件憑借10倍于硅的擊穿電場強(qiáng)度、更低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異高溫性能，成為實(shí)現(xiàn)高效率（>96%）、高功率密度（>5kW/L）的核心使能技術(shù)。

為加速SiC模塊在充電樁中的工程化應(yīng)用，安森美近期推出兩款專用評估板：

EVBUM2878G-EVB：面向1200V M3S 4-PACK F2封裝全橋模塊（如NXH011F120M3F2PTHG），集成四路2.5kV隔離柵極驅(qū)動器、低寄生電感PCB布局及薄膜直流母線，支持雙脈沖測試與開環(huán)功率驗(yàn)證，適用于200–350kW級三相LLC或DAB拓?fù)洹?/p>

EVBUM2880G-EVB：適配F1封裝2-PACK半橋模塊（如NXH015P120M3F1PTG），配備5kVRMS隔離驅(qū)動器NCP51561、共用260μF直流母線及靈活PWM控制模式（支持單/雙信號輸入），可快速搭建全橋或交錯并聯(lián)架構(gòu)，覆蓋50–150kW中功率快充場景。

兩款評估板均采用70μm厚銅FR4 PCB與高輻射率黑色涂層，優(yōu)化散熱與電磁兼容性，并預(yù)留羅氏線圈安裝孔位，便于精確測量開關(guān)瞬態(tài)電流。

安森美的DCFC方案不僅提供核心功率器件，更構(gòu)建了從SiC MOSFET、IGBT到隔離驅(qū)動、門極驅(qū)動電源的完整生態(tài)。例如，在350kW超充樁中，采用1200V EliteSiC模塊可將開關(guān)頻率提升至100kHz以上，顯著縮小磁性元件體積；搭配NCP51561等高CMTI（>200kV/μs）隔離驅(qū)動器，則有效抑制dv/dt噪聲導(dǎo)致的誤觸發(fā)，保障系統(tǒng)在高壓瞬變下的安全運(yùn)行。

目前，該方案已廣泛應(yīng)用于歐美及中國頭部充電樁廠商的量產(chǎn)項(xiàng)目。隨著800V高壓平臺車型加速普及，安森美通過標(biāo)準(zhǔn)化參考設(shè)計與高性能SiC產(chǎn)品組合，正推動直流快充向更高效率、更小體積、更低成本演進(jìn)，為全球電動化轉(zhuǎn)型提供關(guān)鍵底層支撐。

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