面對(duì)AI服務(wù)器、電信基礎(chǔ)設(shè)施及電動(dòng)工具等領(lǐng)域?qū)Ω咝省⒏吖β拭芏入娫聪到y(tǒng)的迫切需求，傳統(tǒng)“通用型”功率MOSFET已難以滿足細(xì)分場(chǎng)景的極致優(yōu)化目標(biāo)。英飛凌科技近日宣布擴(kuò)展其OptiMOS? 7產(chǎn)品線，正式推出面向工業(yè)與消費(fèi)市場(chǎng)的全新系列，繼汽車級(jí)產(chǎn)品之后，將“應(yīng)用驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)”理念深度落地于25V與40V兩大關(guān)鍵電壓平臺(tái)，為開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高增長(zhǎng)應(yīng)用提供高度定制化的功率解決方案。

25V系列：為AI與電信電源量身優(yōu)化

在AI算力爆發(fā)的推動(dòng)下，48V中間總線架構(gòu)（IBC）正成為數(shù)據(jù)中心電源的新主流。OptiMOS? 7 25V MOSFET正是為這類高頻、高效率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景而生。與以往通用型器件不同，該系列按拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)細(xì)分優(yōu)化路徑：

硬開關(guān)型號(hào)：聚焦低米勒電荷（Qgd）與優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)（FOM = RDS(on) × Qg），適用于傳統(tǒng)PFC或半橋拓?fù)洌?/p>

軟開關(guān)型號(hào)：追求極致導(dǎo)通電阻（RDS(on)低至0.45 mΩ）與超低柵極電荷（Qg），專為L(zhǎng)LC、ZVS等諧振拓?fù)鋬?yōu)化。

相較上一代OptiMOS? 5，新器件在關(guān)鍵指標(biāo)上實(shí)現(xiàn)顯著躍升：RDS(on)最多降低20%，F(xiàn)OM提升高達(dá)25%。這意味著在48V轉(zhuǎn)12V或更低電壓的IBC中，導(dǎo)通與開關(guān)損耗同步下降，系統(tǒng)效率與功率密度得以雙提升——對(duì)空間受限、散熱嚴(yán)苛的AI服務(wù)器電源尤為關(guān)鍵。

40V系列：重新定義電機(jī)驅(qū)動(dòng)可靠性

在電動(dòng)工具、園林機(jī)械及工業(yè)伺服驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，MOSFET不僅需高效，更需在高di/dt、感性負(fù)載反沖等惡劣工況下保持穩(wěn)定。OptiMOS? 7 40V系列通過三大創(chuàng)新回應(yīng)這一挑戰(zhàn)：

RDS(on)進(jìn)一步降低，減少持續(xù)導(dǎo)通損耗；

柵極驅(qū)動(dòng)特性優(yōu)化，提升抗噪聲能力，避免誤觸發(fā)；

安全工作區(qū)（SOA）擴(kuò)大三倍，顯著增強(qiáng)短時(shí)過載與雪崩能量耐受能力。

尤為值得一提的是，其跨導(dǎo)（gm）特性經(jīng)過專門調(diào)校，可在多管并聯(lián)時(shí)實(shí)現(xiàn)更均衡的電流分配，有效抑制局部熱點(diǎn)與電壓過沖，提升系統(tǒng)魯棒性。實(shí)測(cè)表明，在無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)驅(qū)動(dòng)中，該器件可支持更高轉(zhuǎn)速與更頻繁啟停，同時(shí)延長(zhǎng)設(shè)備壽命。

場(chǎng)景化設(shè)計(jì)：從“能用”到“最優(yōu)”

英飛凌此次產(chǎn)品策略的核心，是從“提供器件”轉(zhuǎn)向“解決應(yīng)用問題”。通過深度理解終端系統(tǒng)拓?fù)洹⒖刂品绞脚c失效模式，OptiMOS? 7不再追求單一參數(shù)極致，而是圍繞特定應(yīng)用場(chǎng)景的系統(tǒng)級(jí)效率、可靠性與成本進(jìn)行協(xié)同優(yōu)化。例如，25V系列區(qū)分硬/軟開關(guān)路徑，40V系列強(qiáng)化SOA與并聯(lián)性能，均體現(xiàn)了這一思路。

目前，OptiMOS? 7工業(yè)與消費(fèi)系列已提供多種封裝選項(xiàng)，包括節(jié)省空間的PQFN 3.3×3.3 mm及散熱增強(qiáng)型TOLT，適配高密度PCB布局與自動(dòng)化生產(chǎn)需求。

在功率電子邁向“精細(xì)化、場(chǎng)景化”的新階段，英飛凌OptiMOS? 7系列以應(yīng)用為中心的設(shè)計(jì)哲學(xué)，正為工程師提供更精準(zhǔn)、更高效的功率開關(guān)選擇，助力工業(yè)與消費(fèi)電子在能效與可靠性上實(shí)現(xiàn)新一輪突破。

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