盡管碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）器件在高頻、高壓應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)，硅基MOSFET并未退出歷史舞臺(tái)。相反，憑借持續(xù)的技術(shù)演進(jìn)，其在成本、通用性和系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化方面仍具不可替代性。英飛凌最新推出的CoolMOS? 8系列，正是硅基超結(jié)MOSFET在SiC/GaN時(shí)代煥發(fā)新生的典范。

全維度性能升級(jí)

CoolMOS? 8并非簡(jiǎn)單迭代，而是從芯片結(jié)構(gòu)到封裝工藝的系統(tǒng)性革新：

全系列標(biāo)配快速體二極管

以往僅高端型號(hào)（如CFD7）集成快速體二極管，而CoolMOS? 8實(shí)現(xiàn)全系列標(biāo)配，使其同時(shí)適用于硬開關(guān)（如PFC）與軟開關(guān)（如LLC）拓?fù)洌?jiǎn)化BOM并提升設(shè)計(jì)靈活性。

行業(yè)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻

600V系列Rds(on)低至7 mΩ，650V系列低至8 mΩ。在千瓦級(jí)電源中，毫歐級(jí)降低可顯著減少導(dǎo)通損耗，尤其在持續(xù)高負(fù)載工況下，效率增益可觀。

開關(guān)損耗大幅優(yōu)化

通過(guò)優(yōu)化電荷分布與電容特性，CoolMOS? 8將Eoss降低10%、Coss降低50%、Qg降低20%（數(shù)據(jù)來(lái)源：英飛凌）。這不僅減少了開關(guān)過(guò)程中的能量損耗，還降低了對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器的電流需求，提升輕載效率——對(duì)負(fù)載波動(dòng)劇烈的AI服務(wù)器電源尤為關(guān)鍵。

擴(kuò)散焊工藝改善熱性能

采用英飛凌專有擴(kuò)散焊（Diffusion Soldering）工藝，顯著提升芯片與引線框架間的熱傳導(dǎo)效率。實(shí)測(cè)顯示，TO-247封裝熱阻降低14%，TO-220封裝熱阻降幅高達(dá)41%。更強(qiáng)的散熱能力允許更高功率密度設(shè)計(jì)，或減少散熱器體積，優(yōu)化系統(tǒng)成本。

創(chuàng)新封裝提升功率密度

除傳統(tǒng)TO-247/TO-220外，CoolMOS? 8提供QDPACK等頂部散熱（TSC）貼片封裝，高度統(tǒng)一為2.3 mm，便于自動(dòng)化貼裝。QDPACK利用PCB正反面空間，降低寄生電感，提升高頻性能，單芯片Rds(on)可達(dá)7 mΩ，適用于高密度、高效率電源模塊。

“All-in-One”產(chǎn)品策略

相比CoolMOS? 7需按應(yīng)用細(xì)分C7、P7、CFD7等多個(gè)子系列，CoolMOS? 8以單一產(chǎn)品線覆蓋全場(chǎng)景需求——從高性價(jià)比工業(yè)電源到高性能服務(wù)器PFC，無(wú)需切換型號(hào)，簡(jiǎn)化選型與庫(kù)存管理。

實(shí)測(cè)驗(yàn)證：效率與密度雙提升

在英飛凌3.3 kW高密度服務(wù)器電源參考設(shè)計(jì)（192×72×40 mm，功率密度98 W/in3）中，PFC與baby-boost級(jí)采用IPT60R016CM8（600V/16 mΩ）。實(shí)測(cè)顯示，相比帶快速體二極管的CoolMOS? 7，整機(jī)效率提升0.04%~0.11%。看似微小，但在數(shù)據(jù)中心數(shù)千臺(tái)服務(wù)器并行運(yùn)行下，年節(jié)電量可達(dá)數(shù)萬(wàn)度。

應(yīng)用場(chǎng)景廣泛

CoolMOS? 8的600V/650V產(chǎn)品線適用于：

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AI服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心電源：高效率、低熱阻應(yīng)對(duì)高負(fù)載與散熱挑戰(zhàn)；

OBC與直流快充樁：快速體二極管支持高頻PFC與LLC；

儲(chǔ)能與UPS系統(tǒng)：高可靠性與寬工作溫度范圍（-55°C至150°C）；

工業(yè)SMPS：成本敏感場(chǎng)景下，以硅基方案實(shí)現(xiàn)接近寬禁帶器件的性能。