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英飛凌第二代CoolSiC? MOSFET Q-DPAK封裝詳解

來(lái)源:英飛凌代理、原廠貨源-中芯巨能| 發(fā)布日期:2025-08-12 10:25:09 瀏覽量:

英飛凌科技近日宣布擴(kuò)展其第二代CoolSiC? MOSFET 1200V產(chǎn)品線,新增Q-DPAK(Quad-Flat No-Lead Package with Exposed Pad on Top)頂部散熱分立器件。這一系列器件專為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì),特別適用于電動(dòng)汽車充電、光伏、不間斷電源(UPS)、固態(tài)斷路器(SSCB)、工業(yè)驅(qū)動(dòng)、人工智能(AI)及網(wǎng)聯(lián)自動(dòng)駕駛汽車(CAV)等領(lǐng)域。代理銷售英飛凌旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您介紹該系列產(chǎn)品特性、產(chǎn)品型號(hào)及應(yīng)用領(lǐng)域。

產(chǎn)品概述

Q-DPAK封裝通過(guò)簡(jiǎn)化組裝流程并保持卓越的散熱性能,幫助客戶降低系統(tǒng)成本。與傳統(tǒng)的底部散熱方案相比,頂部散熱設(shè)計(jì)允許更優(yōu)化的PCB布局,減少寄生元件和雜散電感的影響,同時(shí)提供增強(qiáng)的熱管理性能。這種封裝方式不僅提高了系統(tǒng)的整體效率,還支持自動(dòng)化組裝,進(jìn)一步降低了制造成本。

關(guān)鍵特性

SMD頂部散熱封裝:采用表面貼裝技術(shù)(SMT),便于自動(dòng)化生產(chǎn),同時(shí)頂部散熱設(shè)計(jì)有助于提高熱傳導(dǎo)效率。

低雜散電感設(shè)計(jì):優(yōu)化內(nèi)部結(jié)構(gòu),減少雜散電感,提高開(kāi)關(guān)速度和系統(tǒng)穩(wěn)定性。

第二代CoolSiC?技術(shù):基于先進(jìn)的碳化硅材料,具備增強(qiáng)的開(kāi)關(guān)性能和FOM(Figure of Merit)系數(shù),顯著降低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗。

.XT擴(kuò)散焊技術(shù):確保高可靠性的電氣連接,提升長(zhǎng)期運(yùn)行穩(wěn)定性。

模塑化合物與槽設(shè)計(jì):使用CTI>600的模塑化合物和CD>4.8mm的模塑槽,提供優(yōu)異的耐濕性能和絕緣性能。

雪崩魯棒性、短路耐受能力及功率循環(huán)可靠性:經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試,確保在極端條件下的可靠運(yùn)行。

英飛凌第二代CoolSiC? MOSFET Q-DPAK封裝詳解

產(chǎn)品型號(hào)

IMCQ120R007M2H

IMCQ120R010M2H

IMCQ120R017M2H

這些型號(hào)分別對(duì)應(yīng)不同的導(dǎo)通電阻值,滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。如需產(chǎn)品規(guī)格書(shū)、樣片測(cè)試、采購(gòu)、技術(shù)支持等需求,請(qǐng)加客服微信:13310830171。

應(yīng)用價(jià)值

更高功率密度:得益于高效的熱管理和低損耗特性,能夠在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出。

支持自動(dòng)化組裝:SMD封裝適合自動(dòng)貼片機(jī)操作,提高生產(chǎn)效率。

簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)復(fù)雜度:優(yōu)化的電氣設(shè)計(jì)減少了外部元件需求,簡(jiǎn)化了電路板布局。

卓越的熱性能表現(xiàn):頂部散熱設(shè)計(jì)有效降低結(jié)溫,延長(zhǎng)器件壽命。

降低系統(tǒng)功率損耗:低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗有助于提高整體能效。

支持950V RMS工作電壓:適用于高壓應(yīng)用環(huán)境,確保安全可靠運(yùn)行。

高可靠性設(shè)計(jì):通過(guò)多項(xiàng)可靠性測(cè)試,保證長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

降低總體成本:綜合考慮材料、制造和維護(hù)成本,提供更具競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案。

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

更高的功率密度:相比傳統(tǒng)封裝,Q-DPAK封裝在相同體積下可實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出。

顯著提升熱性能:頂部散熱設(shè)計(jì)優(yōu)于底部散熱方案,有效降低熱阻。

簡(jiǎn)化電氣設(shè)計(jì)流程:減少外部元件數(shù)量,簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì),加快產(chǎn)品上市時(shí)間。

應(yīng)用領(lǐng)域

光伏:適用于太陽(yáng)能逆變器中的DC-DC轉(zhuǎn)換和DC-AC逆變。

電動(dòng)汽車充電:用于車載充電器(OBC)和直流快充站。

不間斷電源(UPS):提高UPS系統(tǒng)的效率和可靠性。

固態(tài)斷路器(SSCB):實(shí)現(xiàn)快速響應(yīng)和高可靠性保護(hù)。

人工智能(AI):支持高性能計(jì)算設(shè)備的高效電源管理。

工業(yè)驅(qū)動(dòng):用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的功率轉(zhuǎn)換。

網(wǎng)聯(lián)自動(dòng)駕駛汽車(CAV):支持高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和車載信息娛樂(lè)系統(tǒng)的高效電源解決方案。

結(jié)語(yǔ)

英飛凌推出的第二代CoolSiC? MOSFET Q-DPAK封裝產(chǎn)品,不僅在性能上實(shí)現(xiàn)了顯著提升,還在成本和可靠性方面提供了全面的優(yōu)勢(shì)。通過(guò)采用先進(jìn)的封裝技術(shù)和材料,這些器件為工業(yè)應(yīng)用提供了高效、可靠且經(jīng)濟(jì)的解決方案。對(duì)于尋求高性能、低損耗和高可靠性的工程師而言,這款新產(chǎn)品無(wú)疑是一個(gè)值得考慮的選擇。

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