Vishay發(fā)布新款I(lǐng)NT-A-PAK封裝半橋IGBT功率模塊

來源：Vishay威世科技官網(wǎng)| 發(fā)布日期：2024-03-08 10:14:14 瀏覽量：

Vishay近日推出了五款采用改良設(shè)計的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊，為設(shè)計人員提供了更多的技術(shù)選項和靈活性。這些新型器件由VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N組成，采用了Vishay的Trench IGBT技術(shù)制造，旨在降低運輸、能源和工業(yè)應(yīng)用中的大電流逆變級的導(dǎo)通或開關(guān)損耗。

這些半橋器件利用Vishay的Trench IGBT技術(shù)，與第四代FRED Pt?超軟反向恢復(fù)二極管封裝在一起，提供了比市場上其他器件更好的節(jié)能效果。模塊采用小型INT-A-PAK封裝，具有新型柵極引腳布局，與34mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝完全兼容，可以通過機械插接方式進行更換。

這些工業(yè)級器件可用于各種應(yīng)用的電源逆變器，包括鐵路設(shè)備、發(fā)電配電和儲能系統(tǒng)、焊接設(shè)備、電機驅(qū)動器和機器人。其中，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125°C額定電流下，具有極低的集電極至發(fā)射極電壓（≤1.07V），可降低TIG焊機輸出級的導(dǎo)通損耗，達到了行業(yè)領(lǐng)先水平。而VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N適用于高頻電源應(yīng)用，具有極低的開關(guān)損耗，在+125°C額定電流下，Eoff僅為1.0mJ。

這些模塊符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，集電極至發(fā)射極電壓為650V，集電極連續(xù)電流為100A至200A，結(jié)到外殼的熱阻極低。器件通過UL E78996認證，可直接安裝散熱片，具有較小的EMI，并減少了對吸收電路的需求。Vishay的這一系列新型INT-A-PAK封裝半橋IGBT功率模塊將為工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域帶來更高效、更可靠的解決方案。

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