存儲(chǔ)器市場(chǎng)一直處于不斷波動(dòng)和變化之中。最近的消息顯示，幾大存儲(chǔ)器廠(chǎng)商正籌劃在今年第一季度上調(diào)DRAM價(jià)格，預(yù)計(jì)漲幅達(dá)15%-20%。這一調(diào)整旨在提前引導(dǎo)客戶(hù)規(guī)劃未來(lái)的需求，并已有廠(chǎng)商收到了三星漲價(jià)的通知。這一舉動(dòng)預(yù)示著存儲(chǔ)器市場(chǎng)或?qū)⒚媾R一輪新的價(jià)格調(diào)整潮流。

業(yè)內(nèi)人士指出，此次漲價(jià)焦點(diǎn)將從NAND Flash轉(zhuǎn)向DRAM。雖然DDR3的產(chǎn)能和需求相對(duì)穩(wěn)定，漲幅預(yù)計(jì)相對(duì)平緩，但DDR4和DDR5有望成為下一波價(jià)格調(diào)漲的重點(diǎn)。這一舉措有望促使上游廠(chǎng)商改善經(jīng)營(yíng)狀況。

存儲(chǔ)器模塊業(yè)者預(yù)期，在原廠(chǎng)提價(jià)的背景下，供貨給OEM廠(chǎng)商的合約價(jià)將可能在第二季度全面反映DRAM的價(jià)格漲勢(shì)。DRAM和NAND Flash是存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的兩大主流，前者漲幅較少，而后者價(jià)格自2023年下半年以來(lái)一路上漲。現(xiàn)在，市場(chǎng)預(yù)計(jì)DRAM的漲勢(shì)或?qū)⑴cNAND Flash相媲美。

對(duì)于DRAM價(jià)格的漲幅，存儲(chǔ)器模塊業(yè)者表示并不意外。盡管市場(chǎng)需求尚未恢復(fù)穩(wěn)定，但DRAM報(bào)價(jià)的漲跌仍然由上游廠(chǎng)商主導(dǎo)，因此業(yè)內(nèi)已有所預(yù)期。目前，許多業(yè)者已開(kāi)始陸續(xù)回補(bǔ)低價(jià)庫(kù)存。

然而，未來(lái)DRAM價(jià)格能否如同NAND Wafer那樣強(qiáng)勁攀升，仍需觀(guān)察后續(xù)市場(chǎng)需求。終端市場(chǎng)仍持觀(guān)望態(tài)度，前兩個(gè)季度的市場(chǎng)表現(xiàn)將至關(guān)重要。存儲(chǔ)器前景將取決于主要應(yīng)用領(lǐng)域的需求是否順利銜接。

從供給角度來(lái)看，盡管2023年Q4的上游供應(yīng)狀況并不緊張，但前提是需要接受原廠(chǎng)提出的價(jià)格。在此背景下，上游廠(chǎng)商仍將繼續(xù)削減產(chǎn)能，這是保持價(jià)格穩(wěn)定的重要策略之一。

2024年Q1，DRAM整體產(chǎn)能仍將保持謹(jǐn)慎態(tài)度，供應(yīng)商可能繼續(xù)減產(chǎn)成熟制程，并逐漸轉(zhuǎn)向先進(jìn)制程技術(shù)。

總體來(lái)看，存儲(chǔ)供需逐漸改善，存儲(chǔ)器價(jià)格自2023Q3起持續(xù)回暖，2023Q4更是帶動(dòng)利基存儲(chǔ)價(jià)格觸底回升。晶圓端漲價(jià)已開(kāi)始傳導(dǎo)至模組端，而2024年主流DRAM價(jià)格或?qū)⒗^續(xù)回升，但部分產(chǎn)品漲價(jià)將持續(xù)緊缺，尤其是移動(dòng)存儲(chǔ)。與此同時(shí)，下游環(huán)節(jié)的產(chǎn)品價(jià)格漲勢(shì)或?qū)⑾鄬?duì)放緩，但隨著DDR4減產(chǎn)和服務(wù)器市場(chǎng)復(fù)蘇，2024年主流DRAM價(jià)格有望持續(xù)回升。如需采購(gòu)存儲(chǔ)器、申請(qǐng)樣片測(cè)試、BOM配單等需求，請(qǐng)加客服微信：13310830171。