德州儀器（TI）推出的TMF0008 （訂購料號：TMF0008PSR ）是一款8K位（7680位）串行非易失性存儲器（NVM），采用鐵電隨機存取存儲器（FRAM）技術，結合單線SDQ?接口，專為需要高耐用性、低引腳數(shù)和唯一設備標識的嵌入式系統(tǒng)設計。該器件適用于工業(yè)傳感器、智能電表、可穿戴設備、物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點和資產(chǎn)追蹤等應用。德州儀器代理授權、原廠貨源-深圳市中芯巨能電子有限公司為您提供TMF0008：技術參數(shù)詳解及典型應用電路圖。

存儲架構與FRAM優(yōu)勢

TMF0008的存儲陣列為7680位，組織為30個頁面，每頁256位（32字節(jié)）。用戶數(shù)據(jù)可按頁進行讀寫操作。與傳統(tǒng)EEPROM或Flash相比，F(xiàn)RAM技術具有顯著優(yōu)勢：

超高寫入耐久性：支持高達10?次讀/寫周期，遠超EEPROM（通常10?次），適用于頻繁更新配置數(shù)據(jù)或日志記錄的場景。

快速寫入：寫入操作無需編程延遲，數(shù)據(jù)在寫入暫存器后立即復制到FRAM，實現(xiàn)“寫入即完成”，避免數(shù)據(jù)丟失風險。

低功耗寫入：FRAM寫入能耗遠低于Flash，適合電池供電設備。

非易失性：斷電后數(shù)據(jù)可保持10年以上。

單線SDQ?接口與通信機制

TMF0008采用TI專有的SDQ?單線接口，集通信與供電于一體，僅需一個引腳即可實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸和電源輸入（通過外部上拉電阻和儲能電容），極大簡化PCB布線，降低系統(tǒng)成本。

通信速率：支持兩種模式：

標準速度：15.4 kbps，可在3.3V ±5% 或 5V ±5% 下運行。

過載速度：90 kbps，僅在5V ±5% 下支持，適用于需要快速數(shù)據(jù)傳輸?shù)膱鼍啊?/p>

數(shù)據(jù)寫入流程：寫入操作分兩步進行：

數(shù)據(jù)首先寫入32字節(jié)暫存器，并進行校驗。

校驗通過后，自動復制到目標FRAM頁面。 此機制確保數(shù)據(jù)完整性，防止部分寫入導致的錯誤。

唯一標識與安全特性

每個TMF0008器件在出廠時已編程一個唯一的48位標識號（ID） 和一個8位系列代碼，構成64位唯一設備標識（UDID）。該ID不可更改，可用于：

設備身份認證與防偽

產(chǎn)品序列號存儲

安全密鑰綁定

資產(chǎn)追蹤與生命周期管理

電氣與環(huán)境特性

電源電壓：

5V ±5%：支持標準和過載速度。

3.3V ±5%：僅支持標準速度。

工作溫度：-10°C 至 +85°C，覆蓋大多數(shù)工業(yè)和消費類應用場景。

ESD保護：SDQ引腳提供IEC 61000-4-2 Level 4 ESD保護（典型值：±8kV接觸放電，±15kV空氣放電），增強在噪聲環(huán)境下的魯棒性。

抗噪聲設計：內(nèi)部集成開關點滯后和濾波功能，有效抑制信號抖動，提高在電磁干擾（EMI）環(huán)境下的通信可靠性。

封裝選項

TMF0008提供三種封裝，滿足不同空間和裝配需求：

TO-92 (LP)：通孔封裝，適用于原型開發(fā)和低密度PCB。

WSON-6 (DRS)：2.1mm × 2.1mm 小型化封裝，適合空間受限的便攜設備。

SO-8 (PS)：標準表貼封裝，便于自動化生產(chǎn)。

TMF0008典型應用電路圖

在傳感器節(jié)點中，TMF0008可用于存儲校準系數(shù)、設備ID和運行日志。MCU通過單線連接SDQ引腳，在需要時讀取ID進行身份驗證，或?qū)懭胄碌男蕯?shù)據(jù)。其高耐用性確保頻繁寫入不會導致存儲器失效。

設計優(yōu)勢

引腳極簡：單線接口減少布線復雜度，節(jié)省MCU GPIO資源。

高可靠性：FRAM無寫入磨損，避免EEPROM壽命耗盡問題。

快速響應：無寫入延遲，提升系統(tǒng)實時性。

唯一ID：內(nèi)置不可克隆的設備指紋，增強系統(tǒng)安全性。

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