據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，存儲(chǔ)芯片巨頭三星內(nèi)部認(rèn)為當(dāng)前NAND Flash芯片供應(yīng)價(jià)格過(guò)低，計(jì)劃在今年第四季將NAND Flash芯片價(jià)格調(diào)漲10%以上，最早從10月開始實(shí)施漲價(jià)。

消息人士透露，三星已與小米、OPPO和谷歌等客戶簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議，將DRAM和NAND Flash芯片價(jià)格上調(diào)10%-20%。預(yù)計(jì)從第四季度開始，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)可能會(huì)出現(xiàn)供不應(yīng)求的狀況。

今年以來(lái)，三星一直在采取減產(chǎn)策略。最初的減產(chǎn)主要集中在DRAM領(lǐng)域，而下半年開始大幅削減NAND Flash芯片的產(chǎn)量。此次調(diào)漲NAND Flash芯片合約價(jià)格是三星電子繼先前宣布減產(chǎn)后，為提振市場(chǎng)價(jià)格而采取的最新策略。

作為全球最大的DRAM和NAND Flash芯片生產(chǎn)廠商，三星電子的舉動(dòng)直接影響著存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的行情。在DRAM市場(chǎng)中，三星電子占據(jù)40.7%的份額，而在NAND Flash市場(chǎng)中，份額為31.4%，均位居首位。

隨著三星調(diào)漲NAND Flash芯片價(jià)格，一些原廠也通知下游廠商，第四季度將調(diào)漲合約價(jià)。不同產(chǎn)品的漲幅各不相同，但幾乎都在雙位數(shù)水平，其中NAND Flash芯片合約價(jià)有望上漲一至兩成，DRAM則約漲一成。

值得一提的是，自2021年第三季度以來(lái)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格一直在持續(xù)下跌。根據(jù)Yole Intelligence的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，DRAM和NAND Flash的價(jià)格分別下跌了57%和55%。僅在2023年上半年，三星、SK海力士和美光等三大巨頭在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的虧損已高達(dá)千億美元。

面對(duì)巨額虧損，減產(chǎn)和提價(jià)無(wú)疑是三星的自救之舉。三星的目標(biāo)是擴(kuò)大減產(chǎn)規(guī)模，降低供應(yīng)量，再提高產(chǎn)品價(jià)格來(lái)尋求反轉(zhuǎn)，預(yù)計(jì)明年第二季度實(shí)現(xiàn)NAND芯片盈虧平衡點(diǎn)。

總之，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的最低谷已經(jīng)過(guò)去，價(jià)格跌至極限已成共識(shí)。然而，DRAM和NAND Flash芯片的主要應(yīng)用領(lǐng)域是PC、智能手機(jī)和數(shù)據(jù)中心，只有終端市場(chǎng)需求出現(xiàn)復(fù)蘇，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)才能迎來(lái)基本面的觸底反彈。