在最近舉行的中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會分立器件年會上，新潔能憑借其在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與卓越貢獻，第八次榮獲“中國半導(dǎo)體功率器件十強企業(yè)”稱號。自2016年以來，新潔能每年都因其技術(shù)實力和市場領(lǐng)導(dǎo)地位獲得這一殊榮，彰顯了企業(yè)在行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位。

行業(yè)權(quán)威認可

“中國半導(dǎo)體功率器件十強企業(yè)”的評選由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會主辦，旨在表彰那些在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域展現(xiàn)出領(lǐng)先技術(shù)、強大市場影響力以及創(chuàng)新能力的標桿企業(yè)。該獎項基于企業(yè)的技術(shù)研發(fā)能力、市場份額、產(chǎn)品可靠性和行業(yè)貢獻等多個維度進行綜合評估，具有極高的含金量。

創(chuàng)新技術(shù)推動行業(yè)發(fā)展

作為功率器件領(lǐng)域的重要供應(yīng)商，新潔能專注于高性能、高可靠性半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)與生產(chǎn)，不斷突破技術(shù)瓶頸，推出了多款革命性產(chǎn)品：

第三代SGT MOSFET：相比第二代產(chǎn)品，特征導(dǎo)通電阻Ron.sp降低了30%，F(xiàn)OM值也降低了30%，廣泛應(yīng)用于直流電機驅(qū)動、鋰電池保護及AC/DC同步整流等領(lǐng)域。

第七代IGBT：擁有業(yè)界領(lǐng)先的飽和壓降和開關(guān)損耗平衡特性，以及超高電流密度，特別適用于新能源市場的1200V/160A、650V/200A超大電流單管產(chǎn)品。

第四代SJ MOSFET：進一步降低了特征導(dǎo)通電阻，提高了功率密度，并優(yōu)化了開關(guān)特性和抗靜電能力，為系統(tǒng)EMC設(shè)計提供了更大的靈活性。

Trench MOSFET G5系列：集成度較上一代產(chǎn)品提升了1.5倍以上，以P30V為例，Rsp降低了超過50%。

第二代SiC MOSFET：通過結(jié)構(gòu)創(chuàng)新和先進的碳化硅材料工藝，在高溫環(huán)境下表現(xiàn)出色，顯著提升系統(tǒng)效率和可靠性，適合新能源汽車電驅(qū)、大功率充電模塊等應(yīng)用，并通過了嚴格的車規(guī)級認證。

此外，新潔能在IGBT模塊、柵極驅(qū)動器、智能功率模塊（IPM）、智能功率開關(guān)、高邊靜態(tài)驅(qū)動及音頻功放等方面也有著卓越的表現(xiàn)，滿足了從工業(yè)變頻器到光伏儲能等多種應(yīng)用場景的需求。

未來展望

面對未來，新潔能將繼續(xù)以創(chuàng)新驅(qū)動為核心，深化在功率半導(dǎo)體技術(shù)的研究與發(fā)展，致力于為客戶提供更加優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。隨著全球?qū)Ω咝堋⒌湍芎慕鉀Q方案需求的增長，新潔能將助力中國乃至全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展，不斷開拓新的市場機遇和技術(shù)前沿。