新潔能推出的逆導(dǎo)型IGBT（RC-IGBT）型號(hào)NCE15ER135LP，是一款額定電壓1350V、TO-3P封裝、在100℃條件下額定電流為15A的功率器件。該產(chǎn)品采用第七代微溝槽場(chǎng)截止（Micro-Trench Field Stop, MTFST）技術(shù)設(shè)計(jì)，在提升器件性能方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。代理銷售新潔能旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您介紹NCE15ER135LP：技術(shù)參數(shù)詳解、產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用領(lǐng)域。

核心技術(shù)特點(diǎn)

NCE15ER135LP基于第七代MTFST工藝平臺(tái)開發(fā)，其核心結(jié)構(gòu)采用了多項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)：

高密度元胞結(jié)構(gòu)：通過(guò)優(yōu)化微溝槽柵極設(shè)計(jì)，顯著提高了單位面積內(nèi)的元胞密度，從而增強(qiáng)整體載流能力。

多梯度背面緩沖層：引入多梯度緩沖層設(shè)計(jì)，有效改善了電荷分布，降低了開關(guān)損耗，并提升了動(dòng)態(tài)性能穩(wěn)定性。

超薄漂移區(qū)工藝：結(jié)合超薄硅片加工技術(shù)，進(jìn)一步壓縮漂移區(qū)厚度，提高電流密度和導(dǎo)通壓降特性。

載流子存儲(chǔ)優(yōu)化：通過(guò)調(diào)整載流子濃度分布，實(shí)現(xiàn)更高效的電流傳導(dǎo)路徑，降低飽和壓降（VCE(sat)）并提升熱穩(wěn)定性。

性能對(duì)比測(cè)試結(jié)果

新潔能對(duì)NCE15ER135LP與某國(guó)內(nèi)主流廠商的普通IGBT產(chǎn)品進(jìn)行了實(shí)測(cè)對(duì)比，結(jié)果顯示：

擊穿電壓（BVceo）：NCE15ER135LP樣品表現(xiàn)出更高的耐壓能力；

飽和壓降（VCE(sat)）：NCE15ER135LP在相同工作條件下，導(dǎo)通壓降更低；

二極管正向壓降（VF）：其內(nèi)部集成的快速恢復(fù)二極管在正向?qū)〞r(shí)也展現(xiàn)出更低的壓降表現(xiàn)；

開關(guān)損耗（Eon/Eoff）：得益于多梯度緩沖層設(shè)計(jì)，NCE15ER135LP在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出更低的動(dòng)態(tài)損耗和更小的電壓尖峰（Vce_peak）。

封裝形式與系列擴(kuò)展

除本文所介紹的TO-3P封裝外，NCE15ER135LP還可提供TO-247、TO-263、TO-220等多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝選項(xiàng)，便于工程師根據(jù)具體應(yīng)用進(jìn)行靈活選型。此外，該RC-IGBT系列產(chǎn)品還覆蓋多種電流規(guī)格，適用于不同功率等級(jí)的設(shè)計(jì)需求。

產(chǎn)品主要優(yōu)勢(shì)

最高結(jié)溫Tj(max) = 175℃：支持高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行；

低VCE(sat)：降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率；

高開關(guān)速度：適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景；

優(yōu)異可靠性：100%通過(guò)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)可靠性測(cè)試，并通過(guò)更高要求的HV-H3TRB（高電壓高濕高溫反偏）測(cè)試；

成本優(yōu)勢(shì)：在保證高性能的同時(shí)具備良好的性價(jià)比；

低動(dòng)態(tài)電壓尖峰：有助于簡(jiǎn)化EMI防護(hù)電路設(shè)計(jì)。

應(yīng)用領(lǐng)域推薦

NCE15ER135LP憑借其高性能、高可靠性和多樣化封裝選擇，廣泛適用于以下場(chǎng)景：

智能家電控制系統(tǒng)

微波爐與電磁爐等廚房電器

高頻軟開關(guān)電源模塊

工業(yè)控制與變頻設(shè)備

新潔能第七代IGBT命名規(guī)則

如需NCE15ER135LP產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測(cè)試、采購(gòu)、BOM配單等需求，請(qǐng)加客服微信：13310830171。