隨著新能源汽車市場的快速發(fā)展，對高效、可靠的功率電子器件需求日益增長。近日，納芯微電子正式推出車規(guī)級隔離半橋驅(qū)動芯片NSI6602MxEx系列，該系列產(chǎn)品在原有明星產(chǎn)品NSI6602的基礎上進行了多項優(yōu)化，集成了5A米勒鉗位功能，并具備高隔離電壓、低延時及可編程死區(qū)等特性，特別適合用于驅(qū)動SiC和IGBT等功率器件，在新能源汽車OBC、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及主動懸架系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。代理銷售納芯微電子旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您介紹NSI6602MxEx系列：技術(shù)亮點、應用優(yōu)勢、功能框圖、典型應用圖及可選型號。

NSI6602MxEx系列技術(shù)亮點與創(chuàng)新點

高效抑制米勒效應

在傳統(tǒng)的半橋電路設計中，由于米勒效應引起的串擾問題一直是困擾工程師的一大難題，尤其是在使用第三代功率半導體如SiC和GaN時更為突出。為了解決這一問題，納芯微在NSI6602MxEx系列中加入了5A能力的米勒鉗位功能，能夠有效提供最小阻抗釋放路徑，抑制米勒電流引起的電壓抬升，確保橋臂的安全可靠運行。

實測對比

測試結(jié)果顯示，在相同驅(qū)動參數(shù)和布局條件下，NSI6602MxEx相較于傳統(tǒng)無米勒鉗位驅(qū)動芯片，能夠顯著降低門極串擾電壓（Vswing），使得門極電壓保持在安全范圍內(nèi)，避免了誤導通或器件損傷的風險。對于某些經(jīng)過優(yōu)化的功率器件，甚至無需額外負壓即可實現(xiàn)串擾控制，大大簡化了系統(tǒng)設計復雜度。

強大的驅(qū)動能力和靈活配置

NSI6602MxEx支持高達±10A的拉灌電流，能夠直接驅(qū)動更大柵極電荷（Qg）的功率管，或者在多管并聯(lián)應用中無需額外緩沖器即可實現(xiàn)高效驅(qū)動。此外，該系列產(chǎn)品還支持通過DT引腳進行死區(qū)時間配置，提供了三種不同的欠壓閾值選項（8V、12V、17V），以適應不同應用場景的需求。

其他關鍵特性包括：

• 5700VRMS隔離耐壓，適用于高壓SiC和IGBT驅(qū)動

• 150 kV/μs共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）

• 輸入側(cè)電源電壓范圍3V至18V，驅(qū)動側(cè)電源電壓高達32V

• 支持軌到軌輸出，峰值米勒鉗位電流達5A

• 符合AEC-Q100標準，適用于汽車應用

NSI6602MxEx系列應用場景與優(yōu)勢

NSI6602MxEx系列廣泛應用于新能源汽車中的多個關鍵組件，如車載充電機（OBC）、直流轉(zhuǎn)換器（DC/DC）、主動懸架系統(tǒng)等。其卓越的性能不僅提高了系統(tǒng)的整體效率，還增強了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性，尤其在高頻高壓環(huán)境下表現(xiàn)尤為突出。

新能源汽車應用實例

在新能源汽車OBC和DC/DC轉(zhuǎn)換器中，NSI6602MxEx系列能夠有效應對SiC功率器件帶來的高dv/dt挑戰(zhàn)，確保門極電壓在安全范圍內(nèi)波動，防止因米勒效應導致的誤操作。同時，該系列產(chǎn)品支持多種封裝形式（如SOW18），爬電距離超過8mm，滿足嚴格的汽車安全標準。

NSI6602MxEx系列框圖

上圖是NSI6602MxEx與NSI6602功能框圖對比

NSI6602MxEx系列典型應用電路圖

NSI6602MxEx系列可選型號

NSI6602MEB-Q1SWDR

NSI6602MEC-Q1SWDR

NSI6602MEF-Q1SWDR

NSI6602MNEB-Q1SWDR

NSI6602MNEC-Q1SWDR

NSI6602MNEF-Q1SWDR

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