作為全球碳化硅（SiC）功率器件的領(lǐng)先廠商，英飛凌科技（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日宣布推出全新的SiC溝槽型超結(jié)（Trench Super Junction，TSJ）技術(shù)。該技術(shù)融合了英飛凌在SiC溝槽柵結(jié)構(gòu)和硅基電荷補(bǔ)償器件（CoolMOS?）領(lǐng)域多年積累的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，標(biāo)志著其在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一次重大突破。

此次推出的首批產(chǎn)品為采用IDPAK封裝的1200V SiC TSJ功率器件，專為汽車牽引逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)。該系列產(chǎn)品基于英飛凌超過(guò)25年的功率半導(dǎo)體研發(fā)經(jīng)驗(yàn)打造，在保持優(yōu)異短路耐受能力的同時(shí)，將導(dǎo)通電阻與芯片面積乘積（Ron*A）降低了高達(dá)40%，從而顯著提升功率密度，實(shí)現(xiàn)更緊湊、高效的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer表示：“TSJ技術(shù)的引入進(jìn)一步拓展了我們的CoolSiC?產(chǎn)品組合。溝槽柵與超結(jié)結(jié)構(gòu)的結(jié)合，不僅提升了效率表現(xiàn)，也為高可靠性應(yīng)用場(chǎng)景提供了更強(qiáng)的技術(shù)支撐。”

該器件支持最高800kW功率輸出，并具備出色的電流承載能力——相比現(xiàn)有解決方案提升約25%。此外，得益于更低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，新器件可有效降低整車或工業(yè)系統(tǒng)的能耗與散熱需求，同時(shí)減少并聯(lián)使用的需求，從而簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)流程、降低整體成本。

在汽車應(yīng)用中，這項(xiàng)技術(shù)有望助力主機(jī)廠開(kāi)發(fā)出更高能效、更具成本優(yōu)勢(shì)的電動(dòng)動(dòng)力總成系統(tǒng)。現(xiàn)代汽車公司已率先成為TSJ技術(shù)的早期客戶之一，計(jì)劃將其應(yīng)用于新一代電動(dòng)汽車平臺(tái)，以提升整車?yán)m(xù)航能力和系統(tǒng)集成度。

除汽車領(lǐng)域外，英飛凌還同步推出了適用于工業(yè)市場(chǎng)的多種封裝形式，包括分立器件、模塑模塊、框架封裝模塊以及裸晶圓等，全面覆蓋從新能源汽車充電、光伏儲(chǔ)能到軌道交通牽引系統(tǒng)等多樣化場(chǎng)景。

目前，部分汽車客戶已獲得IDPAK封裝1200V SiC TSJ器件樣品，預(yù)計(jì)將在2027年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。隨著全球?qū)Ω咝堋⒌湍芎碾娏﹄娮酉到y(tǒng)需求的增長(zhǎng)，英飛凌憑借其領(lǐng)先的SiC TSJ技術(shù)，正加速推動(dòng)電動(dòng)汽車與工業(yè)設(shè)備向更高效率、更可持續(xù)的方向發(fā)展。