英飛凌科技股份公司通過擴展其碳化硅（SiC）產品線，推出了新型CoolSiC? JFET系列，旨在推動下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的進步。該系列產品以其極低的導通損耗、卓越的關斷能力和高可靠性，成為先進固態(tài)保護與配電系統(tǒng)的理想選擇。CoolSiC? JFET不僅在短路和雪崩故障條件下表現(xiàn)出色，還具備精確的過壓控制能力，使其在工業(yè)及汽車應用中實現(xiàn)了高效且可靠的性能表現(xiàn)。

技術突破與應用領域

CoolSiC? JFET專為應對復雜的應用挑戰(zhàn)而設計，包括固態(tài)斷路器（SSCB）、AI數據中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機軟啟動器、工業(yè)安全繼電器以及汽車電池隔離開關等。這些應用場景對器件的導通電阻（RDS(ON)）有嚴格要求，而第一代CoolSiC? JFET達到了業(yè)界領先的1.5mΩ（750V BDss）和2.3mΩ（1200V BDss），顯著減少了導通損耗。優(yōu)化后的溝道設計確保了JFET在極端條件下的高可靠性。

專家觀點與技術亮點

英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer博士強調，“市場需要更加智能、快速且可靠的配電系統(tǒng)，英飛凌將通過CoolSiC? JFET滿足這一日益增長的需求。”他指出，這項以應用為導向的技術不僅重新定義了SiC性能標準，也鞏固了英飛凌在寬禁帶半導體領域的領導地位。

CoolSiC? JFET采用了Q-DPAK頂部散熱封裝，便于并聯(lián)操作，并提供可擴展的電流處理能力，特別適合緊湊型高功率系統(tǒng)的設計需求。此外，基于先進的.XT互連技術和擴散焊接工藝，CoolSiC? JFET有效降低了瞬態(tài)熱阻抗，在脈沖與循環(huán)負載下展現(xiàn)了更高的可靠性。

設計集成與未來展望

為了適應嚴苛環(huán)境中的散熱和機械挑戰(zhàn)，CoolSiC? JFET經過實際工況測試驗證，并采用符合行業(yè)標準的Q-DPAK封裝，支持快速無縫的設計集成。這使得工程師能夠在設計階段更靈活地考慮散熱管理和機械結構問題，從而提高最終產品的可靠性和耐用性。

新型CoolSiC? JFET系列的工程樣品預計于2025年推出，并計劃在2026年開始量產。屆時，還將推出更多封裝和模塊選項，進一步豐富產品線。感興趣的觀眾可以在紐倫堡PCIM Europe 2025展會期間參觀英飛凌展臺，了解CoolSiC? JFET系列的最新進展和技術細節(jié)。

總之，隨著CoolSiC? JFET系列的推出，英飛凌再次展示了其在寬禁帶半導體技術領域的創(chuàng)新能力。這款新產品不僅滿足了當前市場對高性能、可靠性的需求，也為未來的電力電子設備提供了堅實的技術基礎。無論是對于追求效率提升的工業(yè)用戶，還是尋求增強安全性的汽車制造商而言，CoolSiC? JFET無疑都是一項值得期待的技術革新。

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