在各種功率器件中，MOS管可能會(huì)面臨多種故障，包括過電壓、過電流、過熱等。電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)商-中芯巨能將深入介紹導(dǎo)致MOS管故障的原因，并提出相應(yīng)的防護(hù)措施。

1.過電壓

MOS管對(duì)過壓的容忍度很小，稍微超出額定電壓即可導(dǎo)致設(shè)備損壞。為防止過電壓，應(yīng)保守地考慮額定電壓，注意抑制電壓尖峰或振鈴。

2.長(zhǎng)時(shí)間電流過載

長(zhǎng)時(shí)間高電流會(huì)在MOS管中產(chǎn)生大量熱耗散，導(dǎo)致過熱損壞。確保散熱良好，可以通過直接并聯(lián)多個(gè)MOS管共享高負(fù)載電流。

3.瞬態(tài)電流過載

短暫而大的電流過載可能逐漸損壞MOS管，但在故障發(fā)生前，MOS管的溫度可能不會(huì)顯著升高。此類情況可通過增加死區(qū)時(shí)間減少擊穿機(jī)會(huì)。

4.擊穿(交叉?zhèn)鲗?dǎo))

兩個(gè)相對(duì)MOS管的控制信號(hào)重疊可能導(dǎo)致兩者同時(shí)導(dǎo)通，引起電源短路。設(shè)置死區(qū)時(shí)間可最大限度減少擊穿機(jī)會(huì)。

5.沒有續(xù)流電流路徑

在電感負(fù)載切換電流時(shí)，確保提供續(xù)流路徑，通常通過并聯(lián)反向續(xù)流二極管實(shí)現(xiàn)。

6.MOS管體二極管的緩慢反向恢復(fù)

高Q諧振電路可能導(dǎo)致MOS管體二極管在開關(guān)時(shí)產(chǎn)生問題。通過添加二極管緩解，如與源極串聯(lián)的肖特基二極管和并聯(lián)的快速恢復(fù)二極管。

7.過度的柵極驅(qū)動(dòng)

高于額定電壓的柵極驅(qū)動(dòng)可能損壞柵極絕緣層，確保柵極信號(hào)不超過最大允許電壓。

8.柵極驅(qū)動(dòng)不足(不完全開啟)

確保MOS管硬開啟，以減少傳導(dǎo)期間的功耗。

9.緩慢的開關(guān)轉(zhuǎn)換

盡可能快速地在狀態(tài)之間切換，以減少切換期間的功耗。

10.雜散振蕩

最小化MOS管周圍的雜散電感和電容，使用低阻抗柵極驅(qū)動(dòng)電路防止信號(hào)耦合。

11."米勒"效應(yīng)

使用低阻抗柵極驅(qū)動(dòng)器最小化米勒效應(yīng)，確保柵極電壓鉗位到安全水平。

12.對(duì)控制器的輻射干擾

確保控制器放置在屏蔽外殼中，分離電源和控制電路。

13.對(duì)控制器的傳導(dǎo)干擾

通過去耦和中性點(diǎn)接地減少傳導(dǎo)干擾，使用變壓器耦合在防止電噪聲傳導(dǎo)回控制器方面非常有效。

14.靜電損壞

安裝MOS管時(shí)采取防靜電處理，防止柵氧化層損壞。

15.高駐波比

在脈沖系統(tǒng)中，考慮VSWR，確保傳輸線和負(fù)載匹配，減少反射和阻抗不連續(xù)性引起的問題。

通過理解這些故障原因，工程師可以采取相應(yīng)的防護(hù)措施，提高M(jìn)OS管的穩(wěn)定性和可靠性。如需采購(gòu)MOS管、申請(qǐng)樣片測(cè)試、BOM配單等需求，請(qǐng)加客服微信：13310830171。