MDD辰達半導體生產的MDD90N03D是一款采用N溝道技術的mos管（金屬氧化物半導體場效應晶體管），其特點是具有低導通電阻、快速開關反應速度和高電流承載能力，使其成為眾多電子應用中的理想選擇。

MDD90N03D產品特性

-最大漏源電壓：30V

-柵源電壓：±20V

-連續(xù)漏極電流：90A

-漏源導通電阻：0.0056歐姆

-最小柵極閾值電壓：1.2V

-最大柵極閾值電壓：2.5V

-耗散功率：95mW

-重量：約0.016克

這些特性使得MDD90N03D非常適合應用于需要高電流驅動和快速開關反應的場合，如LED驅動電路、穩(wěn)壓電路和開關電路等。

MDD90N03D封裝形式與應用領域

MDD90N03D采用TO-252封裝形式，具有穩(wěn)定可靠、散熱性強、高負載電流能力等特點。該封裝形式特別適用于電池管理系統(tǒng)（BMS）、電機驅動、LED驅動和充電樁等應用場合。

MDD90N03D的應用領域非常廣泛，包括但不限于移動通信、5G、物聯(lián)網(wǎng)、智能家居（如掃地機器人、智能馬桶、吸塵器、筋膜槍）、電源管理、儲能系統(tǒng)和汽車電子等。具體應用場景涵蓋充電器、適配器、逆變器、電動工具、智能水表、路由器、機頂盒、小家電、儲能設備和車載電子等。

MDD90N03D應用案例

-電機驅動電路：在電機驅動電路中，MDD90N03D的低導通內阻和快速開關特性能夠精準控制電機的運行，提高電機的效率和穩(wěn)定性。例如，在一個典型的電機驅動電路中，可以采用六個MDD90N03Dmos管來實現(xiàn)電機的高效控制。

-開關電路保護：MDD90N03D還可以用于保護電路免受過流、過壓等異常情況的損害。通過監(jiān)測電路中的電流和電壓變化，并在必要時切斷電路，MDD90N03D能夠保護電路中的其他元件免受損壞。

MDD90N03D設計注意事項

盡管MDD90N03D是一款性能強大的mos管產品，但在設計包含MDD90N03D的開關電路時，仍需注意以下幾點：

-柵極電壓控制：確保柵極電壓在合適的范圍內波動，以避免對mos管造成損害。

-保護電路設計：設計相應的保護電路以應對過流、過壓等異常情況，提高電路的可靠性和穩(wěn)定性。

總之，MDD90N03D是一款具有出色性能的N溝道mos管，其低導通電阻和快速開關反應速度使其在電路開關控制和負載驅動等應用中表現(xiàn)出色。通過合理的設計和應用，MDD90N03D能夠提供高效、穩(wěn)定和可靠的電路控制和負載驅動能力，減少能量損耗，滿足不同應用需求。如需產品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。