在USB-PD快充與小型化電源需求持續(xù)攀升的背景下，意法半導(dǎo)體（ST）正式推出 VIPerGaN50W ——其全新GaN反激式轉(zhuǎn)換器系列的首款產(chǎn)品。該器件將 700V GaN功率晶體管、反激控制器與優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)器 高度集成于單一封裝內(nèi)，顯著降低系統(tǒng)復(fù)雜度與BOM成本，助力開(kāi)發(fā)者快速實(shí)現(xiàn)50W級(jí)高功率密度、高能效且全負(fù)載靜音運(yùn)行的充電器與輔助電源設(shè)計(jì)。

全負(fù)載零電壓開(kāi)關(guān)，輕載亦靜音

VIPerGaN50W在全負(fù)載范圍內(nèi)采用 零電壓開(kāi)關(guān)（ZVS）準(zhǔn)諧振模式，大幅降低開(kāi)關(guān)損耗。針對(duì)輕載至中高負(fù)載工況，芯片引入 頻率折返與跳谷底（Valley Skipping）技術(shù)，有效抑制開(kāi)關(guān)頻率上升以提升效率。尤為關(guān)鍵的是，ST獨(dú)有的 “谷底鎖”算法 能穩(wěn)定跳過(guò)的谷底數(shù)量，避免開(kāi)關(guān)頻率落入20Hz–20kHz音頻范圍，徹底消除傳統(tǒng)反激轉(zhuǎn)換器常見(jiàn)的“嘯叫”問(wèn)題，確保用戶(hù)在夜間或安靜環(huán)境中獲得無(wú)干擾體驗(yàn)。

在空載狀態(tài)下，器件自動(dòng)進(jìn)入突發(fā)模式（Burst Mode），待機(jī)功耗 低于30mW，輕松滿(mǎn)足歐盟CoC V5、美國(guó)DoE Level VI等全球嚴(yán)苛能效法規(guī)。

集成化設(shè)計(jì)加速產(chǎn)品落地

傳統(tǒng)GaN反激方案需外置驅(qū)動(dòng)電阻、電感匹配及高壓?jiǎn)?dòng)電路，調(diào)試周期長(zhǎng)。而VIPerGaN50W內(nèi)置 自適應(yīng)柵極驅(qū)動(dòng)器，省去對(duì)柵極電阻和緩沖網(wǎng)絡(luò)的精細(xì)調(diào)校；同時(shí)集成 高壓?jiǎn)?dòng)單元 與 senseFET電流檢測(cè)，無(wú)需光耦即可實(shí)現(xiàn)初級(jí)側(cè)穩(wěn)壓，進(jìn)一步簡(jiǎn)化副邊電路。

封裝采用緊湊型 5mm × 6mm PQFN，熱性能優(yōu)異，支持高功率密度布局。配合已上市的 EVLVIPGAN50WF評(píng)估板（輸出15V/50W，支持90–265VAC寬輸入），開(kāi)發(fā)者可快速驗(yàn)證同步整流、EMI優(yōu)化及熱管理策略，大幅縮短從原型到量產(chǎn)的周期。

智能電源管理提升系統(tǒng)魯棒性

為應(yīng)對(duì)電網(wǎng)波動(dòng)與負(fù)載突變，VIPerGaN50W引入多項(xiàng)先進(jìn)控制機(jī)制：

輸入電壓前饋控制：在高壓輸入時(shí)自動(dòng)限制最大輸出功率，防止過(guò)設(shè)計(jì)；

動(dòng)態(tài)消隱時(shí)間控制：根據(jù)工作狀態(tài)調(diào)整電流檢測(cè)消隱窗口，抑制誤觸發(fā)并降低損耗；

多重保護(hù)機(jī)制：涵蓋輸入/輸出過(guò)壓、過(guò)溫關(guān)斷、輸入欠壓/過(guò)壓鎖定（UVLO/OVLO），確保極端工況下安全運(yùn)行。

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