在非易失性存儲(chǔ)器（NVM）的多元技術(shù)圖譜中，EEPROM或許不是最“快”的，卻始終是最“穩(wěn)”的選擇之一。自上世紀(jì)80年代問世以來，這項(xiàng)已近40年歷史的技術(shù)憑借其字節(jié)級(jí)擦寫粒度、超長(zhǎng)數(shù)據(jù)保留時(shí)間、高耐久性與低功耗特性，持續(xù)活躍于汽車電子、可穿戴設(shè)備、工業(yè)傳感器乃至新興邊緣AI等關(guān)鍵領(lǐng)域。

意法半導(dǎo)體（ST）作為全球EEPROM頭部供應(yīng)商，自1987年量產(chǎn)首款產(chǎn)品至今，累計(jì)出貨量已達(dá)440億顆，并長(zhǎng)期占據(jù)市場(chǎng)領(lǐng)先地位。其連接與安全產(chǎn)品部綜合市場(chǎng)業(yè)務(wù)線總監(jiān)Sylvain Fidelis指出：“EEPROM的價(jià)值不僅在于成熟可靠，更在于它能隨時(shí)代演進(jìn)——從基礎(chǔ)參數(shù)存儲(chǔ)走向支持OTA更新、品牌保護(hù)與可持續(xù)設(shè)計(jì)。”

字節(jié)級(jí)優(yōu)勢(shì)不可替代

相較于NOR閃存需以扇區(qū)為單位擦除、FRAM雖快但成本較高，EEPROM的核心競(jìng)爭(zhēng)力在于真正的字節(jié)級(jí)讀寫能力。這一特性使其在頻繁記錄小量數(shù)據(jù)的場(chǎng)景中表現(xiàn)卓越，例如智能手表中的用戶設(shè)置、醫(yī)療設(shè)備的校準(zhǔn)參數(shù)，或自動(dòng)駕駛系統(tǒng)中多路傳感器的狀態(tài)日志。

尤其在空間受限的消費(fèi)電子設(shè)備中，嵌入式EEPROM仿真方案已成為主流。而分立式串行EEPROM憑借統(tǒng)一的8引腳封裝（如SO-8），支持從1Kbit到4Mbit的容量無縫升級(jí)，極大簡(jiǎn)化了硬件迭代流程——無需改版PCB即可擴(kuò)展存儲(chǔ)，顯著降低開發(fā)風(fēng)險(xiǎn)與成本。

Page EEPROM：打破容量天花板

面對(duì)邊緣AI、智能表計(jì)和可修復(fù)電子產(chǎn)品對(duì)更高存儲(chǔ)密度的需求，傳統(tǒng)EEPROM一度面臨“玻璃天花板”。2024年，意法半導(dǎo)體推出的Page EEPROM系列（8Mb/16Mb/32Mb）成功突破這一限制，在保持8引腳小封裝的同時(shí)，將容量提升至32Mbit。

該產(chǎn)品融合EEPROM的耐用性與閃存的高密度優(yōu)勢(shì)：

支持字節(jié)級(jí)擦寫用于精細(xì)數(shù)據(jù)記錄；

同時(shí)提供頁面/塊擦除與頁面寫入，高效支持無線（OTA）固件更新；

讀取速度達(dá)320Mbit/s，接近串行NOR閃存水平；

耐擦寫次數(shù)高達(dá)50萬次（部分型號(hào)達(dá)400萬次），遠(yuǎn)超傳統(tǒng)閃存；

數(shù)據(jù)保留時(shí)間仍維持100年以上；

功耗僅為同類閃存的十分之一，深度關(guān)斷模式電流低于1μA，并新增峰值電流控制（≤3mA），優(yōu)化電池供電設(shè)備的電源穩(wěn)定性。

首批應(yīng)用已落地于助聽器、GPS追蹤器、電動(dòng)自行車BMS及工業(yè)狀態(tài)監(jiān)測(cè)傳感器等對(duì)尺寸、功耗與可靠性要求嚴(yán)苛的場(chǎng)景。

長(zhǎng)期供貨與IDM模式保障生態(tài)穩(wěn)定

在供應(yīng)鏈波動(dòng)頻發(fā)的當(dāng)下，ST通過IDM（垂直整合制造）模式實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)、工藝到封測(cè)的全鏈路掌控，并承諾：

商用/工業(yè)級(jí)EEPROM供貨10年；

汽車級(jí)產(chǎn)品供貨15年。

目前其EEPROM產(chǎn)品線覆蓋400余款型號(hào)，支持1.2V–5V寬電壓、多種溫度等級(jí)與封裝形式，全面適配規(guī)模化部署需求。

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