近日，威世（Vishay Intertechnology）宣布推出三款基于第三代碳化硅（SiC）技術(shù)的650 V和1200 V肖特基二極管，面向高性能電源系統(tǒng)，進一步拓展其在高效率功率器件領(lǐng)域的布局。新產(chǎn)品包括1 A的VS-3C01EJ12-M3和兩款2 A型號VS-3C02EJ07-M3與VS-3C02EJ12-M3，均采用緊湊型SlimSMA HV（DO-221AC）封裝，具備低容性電荷、高爬電距離及優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，適用于高密度、高頻開關(guān)電源設(shè)計。

小尺寸封裝，兼顧高絕緣與空間效率

新款SiC二極管采用厚度僅0.95 mm的SlimSMA HV封裝，顯著低于傳統(tǒng)SMA（2.3 mm）和SMB封裝器件，為PCB空間受限的應(yīng)用提供了極具吸引力的解決方案。同時，器件最小爬電距離達3.2 mm，配合CTI ≥ 600的高絕緣模塑料，大幅提升了高壓環(huán)境下的電氣隔離性能，適用于650 V至1200 V的高壓系統(tǒng)，有效降低漏電流和電弧風(fēng)險。

該封裝設(shè)計不僅優(yōu)化了空間利用率，還增強了散熱性能，支持器件在高達+175 °C的結(jié)溫下穩(wěn)定運行，滿足嚴(yán)苛工業(yè)與電源應(yīng)用的可靠性需求。

第三代SiC技術(shù)提升開關(guān)效率

與傳統(tǒng)硅二極管相比，這三款第三代SiC肖特基二極管采用合并PIN肖特基（MPS）結(jié)構(gòu)，在全溫度范圍內(nèi)保持極低的容性電荷（低至7.2 nC），實現(xiàn)快速開關(guān)響應(yīng)，顯著降低開關(guān)損耗。其幾乎無反向恢復(fù)電流的特性，避免了傳統(tǒng)二極管在高頻硬開關(guān)中產(chǎn)生的能量損耗，從而提升系統(tǒng)整體效率。

此外，MPS結(jié)構(gòu)還使正向?qū)▔航到抵恋湫椭?.30 V，進一步減少導(dǎo)通損耗，特別適用于PFC（功率因數(shù)校正）、DC/DC和AC/DC轉(zhuǎn)換器等高效率拓?fù)洹Ｆ骷邆湔郎囟认禂?shù)，有利于多管并聯(lián)使用時的電流均衡，提升系統(tǒng)可擴展性與可靠性。

廣泛適用于工業(yè)與能源領(lǐng)域

這些SiC二極管適用于多種高要求場景，包括服務(wù)器電源中的自舉二極管、防反接二極管、PFC升壓二極管，以及工業(yè)電機驅(qū)動、儲能系統(tǒng)、光伏逆變器和X射線發(fā)生器等。其高頻、高效率特性有助于縮小磁性元件體積，提升功率密度，滿足現(xiàn)代電源系統(tǒng)對小型化和節(jié)能的雙重需求。

所有器件均符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素，具備MSL1（濕度敏感度等級1）認(rèn)證，符合J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)，并通過JESD 201第二類晶須測試，確保在惡劣環(huán)境下的長期可靠性。

隨著第三代SiC技術(shù)的成熟，威世此次新品發(fā)布標(biāo)志著其在高性能功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先。在追求更高能效與更小體積的電源設(shè)計趨勢下，這些新型SiC二極管將為下一代高效電源系統(tǒng)提供關(guān)鍵支持。

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