在新能源、電動(dòng)汽車與數(shù)據(jù)中心等高功率密度應(yīng)用快速發(fā)展的背景下，碳化硅（SiC）功率器件正成為提升系統(tǒng)效率與功率密度的關(guān)鍵技術(shù)。近日，英飛凌科技正式推出第二代CoolSiC? MOSFET 750V系列產(chǎn)品，涵蓋工業(yè)級(jí)與車規(guī)級(jí)型號(hào)，旨在為下一代電力電子系統(tǒng)提供更高性能、更高可靠性的解決方案。

此次發(fā)布的第二代750V CoolSiC? MOSFET基于英飛凌成熟的柵極氧化層技術(shù)，顯著提升了器件在復(fù)雜工況下的魯棒性，尤其在抗寄生導(dǎo)通方面表現(xiàn)突出，適用于圖騰柱PFC、有源中性點(diǎn)鉗位（ANPC）、維也納整流器和飛跨電容（FCC）等多種硬開關(guān)拓?fù)洹Ｍ瑫r(shí)，通過優(yōu)化材料與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，輸出電容（Coss）大幅降低，使其在CLLC、雙有源橋（DAB）和LLC等軟開關(guān)應(yīng)用中可實(shí)現(xiàn)更高頻率運(yùn)行，進(jìn)一步縮小磁性元件體積，提升系統(tǒng)功率密度。

性能全面升級(jí)，F(xiàn)OM提升20%-35%

新系列產(chǎn)品在關(guān)鍵參數(shù)上實(shí)現(xiàn)顯著優(yōu)化：

更低的RDS(on) × Qoss和RDS(on) × QG，提升開關(guān)效率；

低Crss/Ciss比值與高閾值電壓VGS(th)，增強(qiáng)抗噪聲能力，確保零伏關(guān)斷可靠性；

支持**-7V至-11V負(fù)柵壓驅(qū)動(dòng)**，提升開關(guān)穩(wěn)定性；

采用**.XT連接技術(shù)**（擴(kuò)散焊），增強(qiáng)熱循環(huán)壽命與散熱性能；

配備開爾文源極（Kelvin Source）引腳，降低驅(qū)動(dòng)回路電感，減少開關(guān)損耗。

此外，所有器件均通過100%雪崩測(cè)試驗(yàn)證，確保在極端工況下的安全運(yùn)行，特別適用于車載充電機(jī)（OBC）、DC-DC變換器、光伏逆變器及AI服務(wù)器電源等對(duì)可靠性要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場(chǎng)景。

Q-DPAK封裝，兼顧高性能與散熱

器件采用Q-DPAK表面貼裝封裝，不僅便于自動(dòng)化生產(chǎn)，還能充分發(fā)揮SiC高速開關(guān)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)支持約20W的功率耗散能力，滿足高功率密度設(shè)計(jì)需求。其增強(qiáng)型熱性能支持結(jié)溫高達(dá)200°C，適用于高溫工作環(huán)境。

應(yīng)用廣泛，覆蓋工業(yè)與汽車核心場(chǎng)景

該系列產(chǎn)品已規(guī)劃多個(gè)電流等級(jí)，型號(hào)包括：

AIMDQ75R016M2H / 025M2H / 060M2H

IMDQ75R004M2H / 007M2H / 016M2H / 025M2H / 060M2H

如需以上產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測(cè)試、采購(gòu)、BOM配單等需求，請(qǐng)加客服微信：13310830171。24小時(shí)采購(gòu)熱線：133-1083-0171。

廣泛適用于：

工業(yè)領(lǐng)域：光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、UPS、固態(tài)斷路器、電池化成、電信電源、AI服務(wù)器PSU等；

汽車電子：車載充電機(jī)（OBC）、高低壓DC-DC、高壓電池開關(guān)、電子熔斷器等。

推動(dòng)電力電子系統(tǒng)向高效化演進(jìn)

隨著碳化硅技術(shù)的成熟與成本優(yōu)化，其在中高功率應(yīng)用中的滲透率持續(xù)提升。英飛凌第二代750V CoolSiC? MOSFET憑借其優(yōu)異的綜合性能指標(biāo)、高可靠性設(shè)計(jì)與廣泛的適用性，為工程師提供了更具競(jìng)爭(zhēng)力的器件選擇。

未來，隨著電動(dòng)汽車800V平臺(tái)普及與AI數(shù)據(jù)中心對(duì)能效要求的不斷提升，該系列產(chǎn)品有望在提升系統(tǒng)效率、縮小體積、降低系統(tǒng)總成本方面發(fā)揮關(guān)鍵作用，加速電力電子系統(tǒng)向高效、緊湊、智能化方向演進(jìn)。