隨著AI計算需求的激增，服務(wù)器電源功率正經(jīng)歷從3-5kW向20kW以上的快速轉(zhuǎn)變，同時電源供應(yīng)單元的輸出電壓也由傳統(tǒng)的12V升級至48V。面對這一變革，安森美推出了一套覆蓋從電網(wǎng)接入到GPU的全面電源解決方案，旨在為下一代數(shù)據(jù)中心提供高效、緊湊且可靠的電力支持。

在UPS（不間斷電源）、PDU（電源分配單元）、PSU（電源供應(yīng)單元）以及BBU（電池備份單元）等核心組件中，安森美通過集成先進(jìn)的硅基（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率開關(guān)技術(shù)，配合柵極驅(qū)動器、多相控制器、智能功率級（SPS）模塊、智能熔絲及負(fù)載點(diǎn)（PoL）降壓轉(zhuǎn)換器等多種元件，實(shí)現(xiàn)了顯著的能效提升與功率密度增加。這不僅優(yōu)化了系統(tǒng)的整體性能，也為高密度數(shù)據(jù)中心節(jié)省了寶貴的空間資源。

核心產(chǎn)品亮點(diǎn)

EliteSiC 650V MOSFET：效率革命的關(guān)鍵作為新一代高效能產(chǎn)品的代表，EliteSiC 650V MOSFET以其卓越的開關(guān)特性和低器件電容著稱，在數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中展現(xiàn)了更高的效率水平。相比前代產(chǎn)品，新MOSFET的柵極電荷減少了50%，并且Eoss和Qoss中的能量消耗分別降低了44%，極大提升了系統(tǒng)效率。

PowerTrench? T10 MOSFET：大電流管理專家專為處理DC-DC轉(zhuǎn)換過程中的大電流設(shè)計，PowerTrench? T10 MOSFET系列在緊湊封裝下提供了優(yōu)異的功率密度與熱性能，是高效能與小體積的理想結(jié)合。采用此方案的數(shù)據(jù)中心可減少約1%的電力損耗，若全球范圍內(nèi)推廣，則每年可節(jié)約相當(dāng)于近百萬家庭一年用電量的能源。

高壓總線架構(gòu)“守護(hù)者”安森美的SiC Combo JFET特別適合于400/800V DC高壓總線架構(gòu)，適用于熱插拔/eFuse等關(guān)鍵應(yīng)用場景。這些設(shè)備具備高開關(guān)頻率和業(yè)內(nèi)最低的單位面積RDS(on)，確保了系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

SPM31智能功率模塊：變頻驅(qū)動的首選基于1200V SiC MOSFET的第一代SPM31智能功率模塊（IPM），在三相變頻驅(qū)動應(yīng)用中表現(xiàn)突出。相較于第7代場截止IGBT技術(shù)，EliteSiC SPM 31 IPM提供了超高的能效和功率密度，以更緊湊的設(shè)計實(shí)現(xiàn)更低的整體系統(tǒng)成本。

注：深圳市中芯巨能電子有限公司代理銷售安森美半導(dǎo)體旗下全系列IC電子元器件，如需產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。