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在電力電子技術的不斷進步中,英飛凌科技再次引領潮流,推出了全新的CoolSiC? MOSFET 750V G1系列。這一系列產(chǎn)品不僅繼承了英飛凌20多年來在碳化硅(SiC)技術上的深厚積淀,更通過引入QDPAK TSC頂部散熱封裝技術,為工業(yè)和汽車市場帶來了前所未有的性能提升。
CoolSiC? MOSFET 750V G1系列以其高度可靠的750V工作電壓、卓越的開關特性以及出色的熱管理能力,成為眾多應用場景中的首選解決方案。該系列產(chǎn)品具有極低的導通電阻RDS(on)與快速恢復電荷Qfr乘積,這使得它在同類產(chǎn)品中擁有最佳的優(yōu)值系數(shù)(Figure of Merit, FoM),從而實現(xiàn)更高的效率和功率密度。此外,所有器件均經(jīng)過嚴格的雪崩測試,確保其能在極端條件下保持穩(wěn)定工作,為系統(tǒng)設計提供了更大的靈活性和可靠性。
值得一提的是,新型TSC(Top Side Cooling)封裝形式的應用,是這次發(fā)布的一大亮點。這種創(chuàng)新的封裝方式允許熱量直接從芯片表面散發(fā)出去,而非傳統(tǒng)地通過印刷電路板傳導。這樣的設計有效減少了熱阻路徑長度,提高了冷卻效率,并且簡化了PCB布局。對于需要高功率密度的設計來說,如電動汽車充電站、光伏逆變器等,這意味著可以在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更高的輸出功率,同時降低系統(tǒng)的整體成本。
CoolSiC? MOSFET 750V G1家族包括了多種不同的型號,覆蓋了8mΩ至140mΩ的導通電阻范圍,滿足不同應用場合的需求。無論是用于工業(yè)領域的固態(tài)繼電器、儲能系統(tǒng),還是服務于汽車行業(yè)的車載電池充電器、高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器,這些高性能的MOSFET都能夠提供穩(wěn)定而高效的電力傳輸支持。特別是針對那些對可靠性和安全性要求極高的應用,比如高壓PTC加熱器模塊或斷路器,CoolSiC? MOSFET 750V G1憑借其優(yōu)異的抗寄生導通能力和單電源驅(qū)動特性,成為了理想的選擇。
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