近日，英飛凌宣布不再支持第一代（G1）CoolGaN?技術用于新設計的消息一度引發(fā)了外界對其硅基氮化鎵（GaN on silicon, GiT）技術承諾的擔憂。然而，隨著新一代650V G5 CoolGaN?晶體管系列的推出，英飛凌再次重申了其在推進GaN技術領域的堅定決心和不懈努力。

成功轉型與產能提升

英飛凌成功完成了從傳統(tǒng)晶圓尺寸向8英寸（200毫米）晶圓的過渡，這一轉變不僅大幅提高了生產效率，還顯著增加了GaN器件的產量。更重要的是，通過引入創(chuàng)新的有源區(qū)結合（BOA）技術，英飛凌能夠在不犧牲芯片面積的前提下優(yōu)化制造工藝，從而進一步提升了產品的性能。盡管熱性能主要由硅主體材料決定，但不論是BOA還是傳統(tǒng)的非有源區(qū)結合（NBOA）設計，有源區(qū)對熱特性的影響同樣至關重要。因此，BOA技術保留了與第一代CoolGaN?設計相同的高散熱能力，確保了技術升級不會影響到關鍵性能指標。

無縫升級路徑與性能超越

最新推出的650V G5 CoolGaN?晶體管專為直接替代現(xiàn)有產品而設計，為工程師提供了便捷的升級途徑，使得重新設計變得快速且簡單。該系列產品在前代技術的基礎上進行了多項改進，特別是在以下幾個方面取得了顯著進步：

輸出電容（Eoss）存儲能量減少50%：有效降低了開關損耗，尤其在硬開關應用中表現(xiàn)尤為突出。

輸出電荷（Qoss）減少60%：提高了運行效率，并減少了軟開關拓撲結構中的損耗。

柵極電荷減少60%：降低了驅動損耗，進一步提高了系統(tǒng)效率。

這些改進使晶體管能夠以最低的功耗支持高頻工作，實現(xiàn)了業(yè)內領先的功率密度水平。此外，脈沖電流能力提升了約30%，這不僅增強了PFC（功率因數(shù)校正）拓撲結構的設計靈活性，還能有效防止線路掉電事件的發(fā)生，保證了器件的可靠性和低故障率。

熱性能優(yōu)化與生產擴展

值得注意的是，CoolGaN? G5系列的熱漂移和動態(tài)RDS(on)漂移均降低了高達20%，這種出色的熱性能彌補了小尺寸芯片可能帶來的不足，確保了器件在各種環(huán)境下的穩(wěn)定表現(xiàn)。為了滿足大規(guī)模生產的需要，英飛凌已經實現(xiàn)了650V G5 CoolGaN?晶體管技術在8英寸（200毫米）生產線上的量產，并計劃逐步擴展至12英寸（300毫米）制程。公司采取了雙廠生產策略，充分利用居林和菲拉赫工廠的生產能力，確保了高質量GaN器件的高效、可擴展供應，同時建立了內部雙重采購機制，增強了供應鏈的安全性。

精細化產品組合與市場覆蓋

與上一代產品相比，650V G5 CoolGaN?晶體管系列提供了更加精細化的產品組合，包括7種SMD封裝和10個RDS(on)等級，極大地提升了設計優(yōu)化的能力。大多數(shù)新產品將于2024年第4季度發(fā)布，完整的系列預計將在2025年中期全部上市，屆時客戶將能夠全面體驗到英飛凌GaN技術在性能和效率上的全新突破。

總之，憑借卓越的技術性能、優(yōu)化的設計以及強大的生產能力，英飛凌650V G5 CoolGaN?晶體管技術有望徹底改變電力電子行業(yè)的面貌，并在全球范圍內產生深遠的影響。通過不斷的技術創(chuàng)新和產能擴張，英飛凌將繼續(xù)引領GaN技術的發(fā)展方向，為未來的高效能應用提供堅實的支持。

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