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安森美推出新一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，助力能源儲(chǔ)存和系統(tǒng)設(shè)計(jì)

來(lái)源：中芯巨能| 發(fā)布日期：2023-12-21 14:11:50 瀏覽量：

安森美（onsemi）最近推出了一系列新一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，旨在助力客戶(hù)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)和能源儲(chǔ)存方案。這些新產(chǎn)品包括全新第7代1200V IGBT、儲(chǔ)能系統(tǒng)方案、首次精確仿真工具、150V N溝道MOSFET屏蔽柵PowerTrench以及IGBT模塊 A-Type NPC 1000V, 800A IGBT。這些產(chǎn)品的推出將為能源儲(chǔ)存和系統(tǒng)設(shè)計(jì)領(lǐng)域帶來(lái)新的技術(shù)突破和解決方案。

安森美推出新一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，助力能源儲(chǔ)存和系統(tǒng)設(shè)計(jì)

安森美的全新FS7 S系列1200V IGBT采用了新穎的場(chǎng)截止第7代IGBT和二極管技術(shù)，具有領(lǐng)先的開(kāi)關(guān)性能和低VF，可在高溫環(huán)境下工作，降低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，為客戶(hù)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更高的能效。此外，安森美還推出了150V N溝道MOSFET屏蔽柵PowerTrench，通過(guò)降低導(dǎo)通電阻和Qrr，保持良好的開(kāi)關(guān)性能。另外，公司還提供了IGBT模塊 A-Type NPC 1000V, 800A IGBT，這將為客戶(hù)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更多的選擇和靈活性。

針對(duì)儲(chǔ)能系統(tǒng)方案，安森美提供了一系列技巧和工具，幫助客戶(hù)了解電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和考慮因素，以及選擇最適合其要求的電源轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體器件的技巧。此外，公司還推出了首次精確仿真工具Elite Power Simulator，通過(guò)對(duì)復(fù)雜電力電子應(yīng)用進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)仿真，為工程師提供有價(jià)值的參考信息。

安森美的這些新一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品將為客戶(hù)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)和能源儲(chǔ)存方案帶來(lái)更多的選擇和技術(shù)支持，助力客戶(hù)實(shí)現(xiàn)更高的能效和更可靠的系統(tǒng)性能。如需采購(gòu)、申請(qǐng)樣片測(cè)試、BOM配單等需求，請(qǐng)加客服微信：13310830171。

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