11月2日，由AspenCore主辦的2023國際集成電路展覽會暨研討會（IIC）在深圳成功舉辦。與大會同時舉辦的2023全球電子成就獎（World Electronics Achievement Awards, WEAA）評選中，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET（ASFET）榮膺年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎（Power Semiconductor/Driver of the year）！安世半導(dǎo)體中國區(qū)工業(yè)及消費(fèi)市場業(yè)務(wù)高級總監(jiān)李東岳受邀出席并領(lǐng)獎。

全球電子成就獎（World Electronics Achievement Awards）旨在評選并表彰對推動全球電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新做出杰出貢獻(xiàn)的企業(yè)和管理者。對獲獎公司以及個人來說，全球電子成就獎的獲得是一項崇高的榮譽(yù)。獲獎產(chǎn)品安世半導(dǎo)體的全新專用MOSFET（ASFET）系列產(chǎn)品是專為熱插拔應(yīng)用而設(shè)計，采用緊湊型8x8mm LFPAK88封裝，具有增強(qiáng)安全工作區(qū)（SOA）的特性。這些ASFET提供80V和100V兩種型號，兼顧低RDS(on)和強(qiáng)大線性模式性能，非常適合電信和計算設(shè)備中要求苛刻的熱插拔和軟啟動應(yīng)用。

與前幾代產(chǎn)品相比，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的ASFET具有增強(qiáng)的SOA，數(shù)據(jù)手冊中提供了經(jīng)過全面測試的高溫下SOA曲線，以及節(jié)省空間的尺寸，為熱插拔和計算應(yīng)用提供了優(yōu)化的解決方案，提供了業(yè)界領(lǐng)先的功率密度改進(jìn)。LFPAK88封裝是D2PAK封裝的理想替代選項，空間節(jié)省效率高達(dá)60%。PSMN2R3-100SSE的RDS(on)僅為2.3mΩ，相較于現(xiàn)有器件至少降低了40%。LFPAK88不僅將功率密度提高了58倍，還提供兩倍的ID(max)額定電流以及超低熱阻和電阻。

Nexperia（安世半導(dǎo)體）還提供采用5x6mm LFPAK56E封裝的25V、30V、80V和100V ASFET系列產(chǎn)品，并針對需要更小PCB管腳尺寸的低功耗應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。這些創(chuàng)新產(chǎn)品的問世將為電子產(chǎn)業(yè)帶來新的發(fā)展機(jī)遇，也為Nexperia贏得了業(yè)界的認(rèn)可和贊譽(yù)。

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