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如何使用單個電感設(shè)計更緊湊的電源
發(fā)布時間：2025-04-08
在現(xiàn)代電子設(shè)備中，電源設(shè)計的緊湊性和效率是至關(guān)重要的。隨著對小型化和高性能需求的不斷增加，工程師們不斷尋找新的方法來優(yōu)化電源設(shè)計。芯片代理商-中芯巨能將介紹如何利用單個電感器（inductor）設(shè)計出更加緊湊且高效的電源系統(tǒng)，幫助您更好地...
安森美：引領(lǐng)圖像傳感器技術(shù)革新
發(fā)布時間：2025-04-08
安森美公司憑借其廣泛的圖像傳感器產(chǎn)品組合，已成為機器人領(lǐng)域及其他多種應(yīng)用場景的關(guān)鍵供應(yīng)商。這些傳感器不僅滿足了現(xiàn)代工業(yè)和消費電子的需求，還為未來的創(chuàng)新提供了堅實的基礎(chǔ)。HyperluxTM LP：低功耗的智能選擇Hyperlux LP 系列是針對低功...
瑞薩引領(lǐng)高性能數(shù)據(jù)中心與內(nèi)存接口技術(shù)融合
發(fā)布時間：2025-04-08
在當今數(shù)字化浪潮的推動下，人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心正以前所未有的速度重塑半導體設(shè)計版圖和投資方向。早在2022年，AI基礎(chǔ)設(shè)施的支出規(guī)模就已接近150億美元，而今年這一數(shù)字有望輕松突破600億美元大關(guān)。資金正從各種投資計劃中源源不斷地涌入數(shù)據(jù)中...
ADI技術(shù)賦能多領(lǐng)域，推動行業(yè)發(fā)展
發(fā)布時間：2025-04-08
在當今快速發(fā)展的科技時代，各行業(yè)對高性能、高精度技術(shù)解決方案的需求日益增長。Analog Devices, Inc.（ADI）作為全球領(lǐng)先的半導體公司，憑借其創(chuàng)新的技術(shù)和產(chǎn)品，為工業(yè)自動化、汽車、電源以及儀器儀表測試測量等多個領(lǐng)域提供了強大的支持，助力行...
中微愛芯芯片助力網(wǎng)絡(luò)攝像頭IPC創(chuàng)新
發(fā)布時間：2025-04-08
隨著互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)攝像頭（IPC）作為新一代市場主流安防攝像機，廣泛應(yīng)用于家庭、商業(yè)及公共安全監(jiān)控系統(tǒng)中。通過與路由器、交換機、NVR等設(shè)備的結(jié)合，IPC能夠高效傳輸視頻、音頻、報警及控制信號，實現(xiàn)全面的網(wǎng)絡(luò)化管理。中微愛芯代理商-中...
CBM14AD125Q：高性能14位ADC的卓越解決方案
發(fā)布時間：2025-04-07
CBM14AD125Q 是一款高性能的4通道、14位、125MSPS模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC），專為低功耗、小尺寸和高靈活性的應(yīng)用需求而設(shè)計。憑借其卓越的性能，該產(chǎn)品在醫(yī)療成像、通信、工業(yè)檢測等多個領(lǐng)域提供了理想的解決方案。CBM14AD125Q 擁有14位高分辨率，能夠精...
思瑞浦高性能電流監(jiān)測方案助力AI服務(wù)器散熱與電源管理
發(fā)布時間：2025-04-07
隨著人工智能（AI）技術(shù)的快速發(fā)展，AI服務(wù)器作為算力的核心引擎，其性能直接決定了AI應(yīng)用的上限。然而，隨著AI模型日益復雜，服務(wù)器功耗呈指數(shù)級增長，散熱、電源管理等問題變得尤為突出。思瑞浦通過推出一系列高性能電流/功率監(jiān)測芯片，如TPA626、TPA62...
ON Semiconductor AR0141CS：卓越低光性能的CMOS圖像傳感器
發(fā)布時間：2025-04-07
在當今追求高清畫質(zhì)和復雜功能的數(shù)字成像領(lǐng)域，ON Semiconductor推出的AR0141CS CMOS數(shù)字圖像傳感器以其出色的低光性能、多功能性和靈活性脫穎而出。這款1/4英寸的傳感器擁有1280 H x 800 V的有效像素陣列，能夠以線性模式捕獲圖像，并采用滾動...
L4986：高性能升壓PFC控制器，低THD與高可靠性
發(fā)布時間：2025-04-07
L4986是意法半導體一款用于升壓轉(zhuǎn)換器的峰值電流模式功率因數(shù)校正（PFC）控制器，具備專有的乘法器“模擬器”和創(chuàng)新型總諧波失真（THD）優(yōu)化器，確保在各種工作條件下實現(xiàn)極低的THD性能。該器件采用SO封裝，適用于符合EN61000-3-2和JEIDA-MITI標準的應(yīng)...
SiC JFET與硅MOSFET Cascode結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢分析
發(fā)布時間：2025-04-07
碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）因其低導通電阻（RDS.A）而在特定應(yīng)用場景中展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢。然而，其常開特性限制了它在需要常關(guān)狀態(tài)的應(yīng)用中的直接使用。為了克服這一局限，研究者提出了一種結(jié)合SiC JFET和低壓硅MOSFET的Cascode配置方案，以實現(xiàn)...
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