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NCV51752:集成負(fù)壓輸出的單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器 附引腳圖及應(yīng)用電路圖

來(lái)源:安森美代理、原廠貨源-中芯巨能| 發(fā)布日期:2025-10-04 10:00:01 瀏覽量:

NCV51752是安森美(onsemi)一款高性能、汽車(chē)級(jí)單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)硅基MOSFET和碳化硅(SiC)MOSFET功率開(kāi)關(guān)而設(shè)計(jì)。該器件具備4.5 A峰值拉電流和9 A峰值灌電流輸出能力,支持高速開(kāi)關(guān)操作,適用于xEV(電動(dòng)汽車(chē))及工業(yè)電源系統(tǒng)中對(duì)效率、可靠性和抗干擾能力要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場(chǎng)景。來(lái)自全球授權(quán)的安森美代理商、原廠貨源-深圳市中芯巨能電子有限公司為您提供NCV51752技術(shù)參數(shù)、引腳圖、典型應(yīng)用電路圖及訂購(gòu)料號(hào)。

NCV51752技術(shù)參數(shù)

核心性能參數(shù)

NCV51752提供典型36 ns的傳播延遲,通道內(nèi)最大延遲匹配僅為5 ns,確保精確的時(shí)序控制,有助于減少死區(qū)時(shí)間并提升系統(tǒng)效率。其輸入電壓范圍為3 V至20 V,兼容TTL/CMOS邏輯電平,可直接與MCU、DSP或PWM控制器連接。輸出側(cè)供電范圍寬,支持6.5 V至20 V工作電壓,并配備可選UVLO閾值:6 V / 8 V(適用于MOSFET),12 V / 17 V(針對(duì)SiC MOSFET優(yōu)化),實(shí)現(xiàn)安全可靠的柵極驅(qū)動(dòng)控制。

集成負(fù)偏置輸出功能

NCV51752的關(guān)鍵特性之一是內(nèi)置負(fù)偏置發(fā)生電路,可生成-2 V、-3 V、-4 V或-5 V的負(fù)柵極關(guān)斷電壓。這一功能對(duì)于提高系統(tǒng)可靠性至關(guān)重要:

增強(qiáng)抗dv/dt干擾能力:在高開(kāi)關(guān)速度下,功率回路中的寄生電感易引發(fā)Miller效應(yīng),導(dǎo)致誤導(dǎo)通。施加負(fù)關(guān)斷電壓可有效抑制此類(lèi)誤觸發(fā)。

加快關(guān)斷速度:負(fù)壓加速電荷抽取,縮短關(guān)斷時(shí)間,降低關(guān)斷損耗,尤其適合高頻硬開(kāi)關(guān)拓?fù)洹?/p>

提升SiC MOSFET運(yùn)行穩(wěn)定性:SiC器件閾值電壓較低(通常2.5~4 V),使用負(fù)壓關(guān)斷可確保充分截止,避免噪聲引起的非預(yù)期導(dǎo)通。

該集成方案無(wú)需外加負(fù)壓電源或復(fù)雜電荷泵電路,簡(jiǎn)化了電源設(shè)計(jì),節(jié)省PCB面積,提高了系統(tǒng)整體可靠性。

隔離與抗擾性能

器件采用4 mm爬電距離的SOIC-8封裝,符合UL1577標(biāo)準(zhǔn),提供高達(dá)3.75 kVRMS(1分鐘)的輸入-輸出隔離耐壓,滿(mǎn)足基本隔離和功能隔離要求。共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)高達(dá)200 V/ns,確保在高dv/dt噪聲環(huán)境下信號(hào)傳輸穩(wěn)定,防止因地電位波動(dòng)導(dǎo)致誤動(dòng)作。

此外,NCV51752集成了獨(dú)立的初級(jí)與次級(jí)側(cè)欠壓鎖定(UVLO)保護(hù),分別監(jiān)控輸入邏輯電源和輸出驅(qū)動(dòng)電源狀態(tài)。任一側(cè)供電異常時(shí)均可自動(dòng)關(guān)斷輸出,防止功率器件在非飽和區(qū)工作,避免過(guò)熱損壞。

NCV51752引腳圖

NCV51752引腳圖

NCV51752典型電路圖

NCV51752典型電路圖

NCV51752典型應(yīng)用場(chǎng)景

NCV51752廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)核心電力電子系統(tǒng):

車(chē)載充電機(jī)(OBC):用于PFC級(jí)或DC-DC級(jí)的SiC MOSFET驅(qū)動(dòng);

xEV DC-DC轉(zhuǎn)換器:在高壓轉(zhuǎn)低壓(HV-LV)系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高效隔離驅(qū)動(dòng);

牽引逆變器:驅(qū)動(dòng)電機(jī)相橋臂開(kāi)關(guān),支持高功率密度設(shè)計(jì);

直流充電樁:作為主功率級(jí)開(kāi)關(guān)的驅(qū)動(dòng)單元。

同時(shí),該器件也適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS、光伏逆變器等需要高CMTI和負(fù)壓關(guān)斷能力的隔離驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合。

NCV51752可選型號(hào)

NCV51752CBDR2G

NCV51752CDDR2G

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