近日，羅姆(ROHM)參加了在上海新國際博覽中心舉辦的2023上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(PCIM Asia)，展示了其在碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體領域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。羅姆憑借其先進的碳化硅功率元器件技術和控制IC、模塊技術，為工業(yè)設備和汽車領域的節(jié)能化與小型化做出了貢獻。

碳化硅器件具有低開關損耗和低導通電阻的特性，相較于傳統(tǒng)的硅器件，在節(jié)能方面具備更大的優(yōu)勢。羅姆在碳化硅功率元器件和模塊的開發(fā)領域處于先進地位，其先進的SiC MOSFET技術實現(xiàn)了低導通電阻，從而減少了開關損耗。此外，羅姆的SiC MOSFET還支持15V和18V的柵極-源極電壓，為包括汽車逆變器和各種開關電源在內(nèi)的應用實現(xiàn)了顯著的小型化和低功耗。在本次展會上，羅姆展示了面向車載應用的第3代和第4代SiC MOSFET系列產(chǎn)品。

氮化鎵相關產(chǎn)品也是羅姆的重點展示內(nèi)容之一。氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)作為一種高效能、小型化的器件，被廣泛應用于提高功率轉(zhuǎn)換效率的領域。羅姆在2022年推出了柵極耐壓高達8V的150V耐壓GaN HEMT，并在2023年3月推出了能夠更大程度發(fā)揮GaN性能的控制IC技術。此外，羅姆還推出了性能達到業(yè)界超高水平的650V耐壓GaN HEMT，以助力各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化。結合功率電子和模擬兩大核心技術優(yōu)勢，羅姆還推出了集成了GaN HEMT和柵極驅(qū)動器的EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，該產(chǎn)品簡化了GaN器件的安裝，助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積。在本次PCIM Asia展會上，羅姆展示了一系列氮化鎵相關產(chǎn)品，包括用于電池管理系統(tǒng)的高壓GaN HEMT、用于電動汽車和混合動力汽車的高壓GaN HEMT和驅(qū)動器等。

此外，羅姆還展示了一系列針對xEV牽引逆變器應用的柵極驅(qū)動器產(chǎn)品。其中，BM6112FV-C專為高功率IGBT和SiC應用而設計，具備20A的柵極驅(qū)動電流，可滿足高功率應用的需求。

在AC-DC轉(zhuǎn)換器IC產(chǎn)品系列方面，羅姆提供了多種不同耐壓等級的產(chǎn)品，包括650V、800V和1700V。這些產(chǎn)品可用于各種外接交流電源產(chǎn)品，并采用準諧振操作實現(xiàn)軟開關，有助于保持較低的電磁干擾(EMI)。BM2SC12xFP2-LBZ是其中一款產(chǎn)品，內(nèi)置了1700V的SiC MOSFET（場效應管），方便設計，有效降低輕負載時的電力消耗，并具備各種保護功能。

羅姆通過其豐富的碳化硅和氮化鎵技術解決方案，為工業(yè)設備和汽車領域的節(jié)能化和小型化提供了強大的支持。這些先進的功率元器件和控制IC產(chǎn)品將有助于提高能源效率，減少能源消耗，并推動可持續(xù)發(fā)展。