全球半導(dǎo)體兩大巨頭——日本羅姆（ROHM）與德國(guó)英飛凌（Infineon）近日宣布，雙方已就碳化硅（SiC）功率器件封裝技術(shù)合作簽署備忘錄，旨在建立互為“第二供應(yīng)商”的戰(zhàn)略協(xié)作機(jī)制。此次合作聚焦車載充電器、太陽能發(fā)電、儲(chǔ)能系統(tǒng)及AI數(shù)據(jù)中心等高增長(zhǎng)領(lǐng)域，將顯著提升客戶在產(chǎn)品設(shè)計(jì)與供應(yīng)鏈管理中的靈活性與可靠性。

封裝互認(rèn)：提升設(shè)計(jì)自由度與供應(yīng)韌性

根據(jù)協(xié)議，羅姆與英飛凌將互相采用對(duì)方的先進(jìn)SiC封裝平臺(tái)，并確保產(chǎn)品引腳兼容。這意味著未來客戶可從兩家公司采購相同封裝規(guī)格的SiC器件，實(shí)現(xiàn)無縫替換，降低單一供應(yīng)商依賴風(fēng)險(xiǎn)，增強(qiáng)供應(yīng)鏈韌性。

這一舉措在當(dāng)前全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈持續(xù)面臨不確定性的背景下尤為重要。通過建立“雙源供應(yīng)”機(jī)制，客戶在面臨產(chǎn)能緊張或交期波動(dòng)時(shí)，可快速切換供應(yīng)商，保障項(xiàng)目進(jìn)度，同時(shí)在BOM管理與庫存策略上獲得更大靈活性。

技術(shù)互補(bǔ)：融合雙方封裝創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)

此次合作深度融合了羅姆與英飛凌在功率封裝領(lǐng)域的核心技術(shù)。

英飛凌的頂部散熱平臺(tái)（Top-Side Cooling, TSC） 將被羅姆采用。該平臺(tái)涵蓋TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual和H-DPAK等多種封裝形式，統(tǒng)一高度為2.3mm。標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化了散熱系統(tǒng)開發(fā)，降低系統(tǒng)級(jí)成本，同時(shí)提升基板空間利用率。頂部散熱結(jié)構(gòu)可有效減少熱阻，實(shí)現(xiàn)更均勻的溫度分布，支持更高功率密度設(shè)計(jì)，部分應(yīng)用中功率密度提升可達(dá)兩倍。

與此同時(shí)，英飛凌將引入羅姆的半橋結(jié)構(gòu)SiC模塊“DOT-247”。該封裝采用創(chuàng)新設(shè)計(jì)，將兩個(gè)TO-247器件集成于同一封裝內(nèi)，形成緊湊的半橋模塊。相比傳統(tǒng)分立式TO-247方案，DOT-247封裝熱阻降低約15%，寄生電感減少50%，顯著改善開關(guān)性能與熱管理效率。其功率密度達(dá)到傳統(tǒng)TO-247的2.3倍，特別適用于高頻率、高效率的功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。

英飛凌計(jì)劃基于DOT-247封裝開發(fā)新的SiC半橋解決方案，進(jìn)一步豐富其Double TO-247 IGBT產(chǎn)品線，滿足市場(chǎng)對(duì)高性能SiC模塊日益增長(zhǎng)的需求。

共推SiC普及，賦能低碳未來

SiC功率器件憑借其高開關(guān)頻率、低導(dǎo)通損耗和優(yōu)異的高溫性能，已成為實(shí)現(xiàn)高效電力轉(zhuǎn)換的核心技術(shù)。在電動(dòng)汽車、可再生能源和AI數(shù)據(jù)中心等對(duì)能效和功率密度要求極高的應(yīng)用中，SiC正加速替代傳統(tǒng)硅基器件。

英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer表示：“我們很高興與羅姆合作，加速SiC技術(shù)的普及。此次合作不僅為客戶提供了更多選擇，還將推動(dòng)高能效低碳應(yīng)用的創(chuàng)新。”

羅姆功率器件事業(yè)部負(fù)責(zé)人伊野和英強(qiáng)調(diào)：“這不僅是封裝合作，更是解決方案生態(tài)的拓展。我們期待通過協(xié)同創(chuàng)新，降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜性，共同開拓功率電子的未來。”

未來展望：合作向?qū)捊麕О雽?dǎo)體延伸

雙方計(jì)劃將合作范圍從當(dāng)前的SiC器件擴(kuò)展至更多封裝類型，并探索在氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的協(xié)作可能性。此舉將進(jìn)一步深化兩家公司在功率電子領(lǐng)域的戰(zhàn)略伙伴關(guān)系，為客戶提供更全面、更靈活的解決方案組合。

結(jié)語

羅姆與英飛凌的此次合作，標(biāo)志著功率半導(dǎo)體行業(yè)從“競(jìng)爭(zhēng)”向“競(jìng)合”模式的重要演進(jìn)。通過封裝標(biāo)準(zhǔn)化與雙源供應(yīng)，兩大巨頭正在構(gòu)建一個(gè)更開放、更穩(wěn)健的SiC生態(tài)系統(tǒng)。這不僅將加速SiC技術(shù)在各行業(yè)的滲透，也為全球能源轉(zhuǎn)型和碳中和目標(biāo)提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支撐。未來，隨著合作深化，一個(gè)更加互聯(lián)互通、高效可靠的功率電子新生態(tài)正在成型。