2025年10月13日，兆易創(chuàng)新（GigaDevice）與納微半導體（Navitas Semiconductor, NASDAQ: NVTS）在合肥正式揭牌成立“數(shù)字能源聯(lián)合實驗室”。該實驗室將兆易創(chuàng)新在GD32 MCU領域的技術積累，與納微半導體在氮化鎵（GaN）及碳化硅（SiC）功率器件上的領先優(yōu)勢深度融合，面向AI數(shù)據(jù)中心、光伏逆變、儲能、充電樁及電動汽車等高增長市場，推動高效、智能的數(shù)字能源解決方案落地。

自籌備以來，聯(lián)合實驗室已推出多款高能效電源方案，涵蓋4.5kW與12kW服務器電源、500W單級微型逆變器等，精準響應行業(yè)對“高效率、高功率密度”的核心需求。

▲納微半導體系統(tǒng)應用工程副總裁黃秀成（右）與兆易創(chuàng)新高級副總裁、MCU事業(yè)部總經(jīng)理李寶魁（左）合影

其中，500W單級光伏微逆方案采用兆易創(chuàng)新GD32G553 MCU與納微半導體雙向GaNFast?氮化鎵芯片，基于單級一拖一架構，省去傳統(tǒng)DC-DC轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)，顯著提升功率密度并降低系統(tǒng)損耗。結合混合調(diào)制策略與軟開關技術，該方案峰值效率突破97.5%，CEC加權效率超97%，MPPT追蹤效率高達99.9%。通過磁集成設計與氮化鎵高頻特性，進一步縮小體積、優(yōu)化BOM成本，適用于戶用光伏與分布式能源系統(tǒng)。

在數(shù)據(jù)中心領域，雙方聯(lián)合開發(fā)的4.5kW與12kW AI服務器電源方案，采用GD32G553 MCU搭配納微GaNSafe?氮化鎵芯片及GeneSiC第三代碳化硅MOSFET，實現(xiàn)高效、高可靠供電。其中12kW方案符合OCP、ORv3及CRPS開放標準，峰值效率達97.8%，超越80 PLUS紅寶石（Ruby）認證要求，適用于超大規(guī)模AI訓練集群與高性能計算場景。

納微半導體系統(tǒng)應用工程副總裁黃秀成表示：“聯(lián)合實驗室標志著雙方戰(zhàn)略合作進入新階段。我們將充分發(fā)揮氮化鎵在高頻、高效電源中的優(yōu)勢，結合兆易創(chuàng)新MCU的實時控制能力，加速下一代數(shù)字能源產(chǎn)品的創(chuàng)新與落地。”

兆易創(chuàng)新高級副總裁、MCU事業(yè)部總經(jīng)理李寶魁指出：“數(shù)字能源是GD32 MCU的核心應用方向。通過與納微的合作，我們實現(xiàn)了MCU與寬禁帶功率器件的深度協(xié)同，不僅提升了系統(tǒng)能效，也為客戶提供了更具競爭力的完整解決方案。”

此次合作不僅是技術互補的體現(xiàn)，更是中國半導體企業(yè)在綠色能源與智能化轉(zhuǎn)型中的積極布局。隨著AI與可再生能源的快速發(fā)展，高效電源管理將成為關鍵基礎設施。聯(lián)合實驗室的成立，將加速創(chuàng)新成果轉(zhuǎn)化，推動國產(chǎn)MCU與先進功率器件在高端電源領域的規(guī)模化應用，助力全球能源結構向綠色、智能方向演進。