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瑞薩電子推800V GaN電源方案,賦能AI數(shù)據(jù)中心高效供電

來源:瑞薩電子| 發(fā)布日期:2025-10-28 11:02:07 瀏覽量:

隨著AI算力需求呈指數(shù)級增長,GPU集群功耗已突破百兆瓦量級,傳統(tǒng)48V數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)正面臨能效與擴(kuò)展性的雙重瓶頸。在此背景下,瑞薩電子(TSE: 6723)宣布全面支持NVIDIA倡導(dǎo)的800V直流電源架構(gòu),依托其基于氮化鎵(GaN)的高密度電源解決方案,推動下一代AI基礎(chǔ)設(shè)施向更高效率、更小體積、更低配電損耗演進(jìn)。

瑞薩電子指出,800V直流母線架構(gòu)可顯著降低機(jī)架級電流,從而減少銅排尺寸與I2R損耗。配合GaN寬禁帶半導(dǎo)體器件——其開關(guān)速度比硅基MOSFET快10倍以上、導(dǎo)通與開關(guān)損耗更低——系統(tǒng)可在維持高功率密度的同時(shí)實(shí)現(xiàn)卓越熱管理。瑞薩的GaN FET、驅(qū)動器與控制器組合,專為48V至800V寬范圍DC/DC轉(zhuǎn)換優(yōu)化,支持從400V母線擴(kuò)展至800V的靈活部署。

瑞薩電子推800V GaN電源方案

核心技術(shù)方案基于LLC直流變壓器(LLC DCX)拓?fù)洌D(zhuǎn)換效率高達(dá)98%,適用于AI服務(wù)器中從800V母線到48V或更低電壓域的高效降壓。在AC/DC前端,瑞薩采用雙向GaN開關(guān),簡化PFC整流器設(shè)計(jì),提升功率因數(shù)與整體能效。同時(shí),其REXFET?超結(jié)MOSFET、多相控制器及智能驅(qū)動器為BOM提供高度集成的補(bǔ)充,助力客戶在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)千瓦級電源模塊。

“AI正在重塑計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施,而電力系統(tǒng)必須同步革新,”瑞薩電源事業(yè)部高級副總裁Zaher Baidas表示,“我們的全棧電源產(chǎn)品組合——從GaN FET到數(shù)字控制器——專為規(guī)模化AI部署而設(shè)計(jì),不僅提供行業(yè)領(lǐng)先的能效,更具備面向未來擴(kuò)展的架構(gòu)彈性。”

作為全球年出貨超15億顆電源管理芯片的供應(yīng)商,瑞薩在數(shù)據(jù)中心、通信與工業(yè)領(lǐng)域積累了深厚經(jīng)驗(yàn)。其雙源制造策略、先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)及由250余家合作伙伴構(gòu)成的生態(tài)系統(tǒng),確保了關(guān)鍵器件的長期供應(yīng)與設(shè)計(jì)支持。目前,瑞薩已為多家頭部AI基礎(chǔ)設(shè)施廠商提供800V參考設(shè)計(jì),涵蓋OCP兼容電源模塊與液冷兼容功率級方案。

在AI算力競賽進(jìn)入“每瓦特性能”時(shí)代之際,電源架構(gòu)的革新已成為提升整體能效的關(guān)鍵一環(huán)。瑞薩憑借其在GaN集成、拓?fù)鋬?yōu)化與系統(tǒng)級協(xié)同設(shè)計(jì)上的領(lǐng)先能力,正成為推動800V數(shù)據(jù)中心落地的核心技術(shù)力量。

瑞薩電子代理商-深圳市中芯巨能電子有限公司,為制造業(yè)廠家的工程師或采購提供選型指導(dǎo)+數(shù)據(jù)手冊+樣片測試+技術(shù)支持等服務(wù)。如需產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、技術(shù)支持等需求,請加客服微信:13310830171。

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