2025年8月，英飛凌科技正式發(fā)布第五代 CoolSiC? 1200V 肖特基二極管，采用標(biāo)準(zhǔn) TO-247-2 封裝，面向高效率、高功率密度電力電子系統(tǒng)提供全面升級(jí)的碳化硅解決方案。新品涵蓋 IDWD50G120C5、IDWD60G120C5、IDWD75G120C5 和 IDWD150G120C5 四款型號(hào)，最大電流等級(jí)達(dá) 150A，適用于光伏逆變器、電動(dòng)汽車充電、UPS（不間斷電源）及工業(yè)焊接等關(guān)鍵領(lǐng)域。代理銷售英飛凌旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您介紹該系列產(chǎn)品特點(diǎn)、產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域及可選型號(hào)。

技術(shù)亮點(diǎn)：全面優(yōu)化性能與可靠性

作為英飛凌在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的最新力作，第五代 CoolSiC? 二極管在多個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)上實(shí)現(xiàn)突破，顯著提升系統(tǒng)級(jí)表現(xiàn)：

無反向恢復(fù)電流 & 無正向恢復(fù)電壓

徹底消除傳統(tǒng)硅二極管的恢復(fù)損耗和電壓尖峰，大幅降低開關(guān)損耗與 EMI（電磁干擾），支持更高頻率運(yùn)行。

開關(guān)特性不隨溫度變化

在 -40°C 至 175°C 寬溫范圍內(nèi)保持穩(wěn)定開關(guān)行為，確保高溫工況下系統(tǒng)仍具高可靠性。

高溫下正向壓降低

相比硅器件，高溫導(dǎo)通損耗更低，提升整體能效，減少散熱設(shè)計(jì)壓力。

嚴(yán)格的正向電壓分布控制

有利于多管并聯(lián)應(yīng)用中的電流均衡，提升大功率系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

高浪涌電流承載能力

可承受瞬時(shí)過流沖擊，適用于電網(wǎng)波動(dòng)或冷啟動(dòng)等嚴(yán)苛場景。

通過雪崩測(cè)試驗(yàn)證

具備優(yōu)異的雪崩魯棒性（Avalanche Robustness），在過壓條件下仍能安全運(yùn)行，增強(qiáng)系統(tǒng)容錯(cuò)能力。

新品采用英飛凌成熟的 .XT 擴(kuò)散焊技術(shù)，相比傳統(tǒng)焊料工藝，顯著提升熱循環(huán)壽命與長期可靠性。該技術(shù)增強(qiáng)了芯片與基板之間的連接強(qiáng)度，有效降低熱阻，提升散熱效率，特別適合高溫、高負(fù)載持續(xù)運(yùn)行的應(yīng)用環(huán)境。

應(yīng)用價(jià)值：即插即用，高效升級(jí)

CoolSiC? 1200V 肖特基二極管具備“即插即用”特性，可直接替代現(xiàn)有設(shè)計(jì)中的硅基快恢復(fù)二極管，無需更改拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)或 PCB 布局，極大降低客戶遷移成本。

系統(tǒng)效率顯著提升：相比硅器件，整機(jī)效率可提高 0.5%~2%，尤其在高頻 PFC 和 DC-DC 拓?fù)渲袃?yōu)勢(shì)明顯。

支持高頻化設(shè)計(jì)：助力電源系統(tǒng)工作頻率提升至數(shù)十 kHz 甚至百 kHz 級(jí)別，減小電感、變壓器等無源元件體積。

提高功率密度：更小的散熱器與被動(dòng)器件尺寸，實(shí)現(xiàn)設(shè)備小型化與輕量化。

增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性：結(jié)合雪崩耐受與. XT 封裝技術(shù)，延長設(shè)備使用壽命，降低維護(hù)成本。

典型應(yīng)用場景

光伏

電動(dòng)汽車充電

不間斷電源UPS

焊接

產(chǎn)品品型號(hào)

IDWD50G120C5

IDWD60G120C5

IDWD75G120C5

IDWD150G120C5

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