在剛剛落幕的“第五屆中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)”（ICDIA 創(chuàng)芯展）上，士蘭微電子憑借其最新的SiC MOSFET產(chǎn)品SCDP120R007NB2CPW4榮獲了2025中國(guó)創(chuàng)新IC“創(chuàng)新突破獎(jiǎng)”。此次盛會(huì)于2025年7月11日至12日在蘇州成功舉辦，吸引了眾多行業(yè)專家和企業(yè)的關(guān)注。

強(qiáng)芯評(píng)選：推動(dòng)國(guó)產(chǎn)芯片自主創(chuàng)新

由中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新聯(lián)盟組織的“強(qiáng)芯評(píng)選”，旨在挖掘并表彰國(guó)內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先、性能卓越且質(zhì)量可靠的創(chuàng)新IC產(chǎn)品。該評(píng)選不僅為系統(tǒng)整機(jī)廠商、品牌終端以及用戶單位提供了優(yōu)質(zhì)的國(guó)產(chǎn)芯片選型指南，同時(shí)也促進(jìn)了自主可控的產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)。作為年度國(guó)產(chǎn)IC推優(yōu)平臺(tái)，“強(qiáng)芯評(píng)選”對(duì)推動(dòng)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展具有重要意義。

SCDP120R007NB2CPW4：高性能SiC MOSFET的新標(biāo)桿

士蘭微電子此次獲獎(jiǎng)的產(chǎn)品SCDP120R007NB2CPW4是一款N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOSFET，采用公司自主研發(fā)的碳化硅工藝技術(shù)制造。這款器件具備極低的導(dǎo)通電阻（典型值為5.5mΩ），有效降低了傳導(dǎo)損耗與開關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)了更高的功率密度，并提供了優(yōu)異的熱管理性能。其封裝形式為TO-247Plus-4L，適用于多種高要求應(yīng)用場(chǎng)景，如汽車主驅(qū)、光伏儲(chǔ)能、充電樁等。

“一體化”戰(zhàn)略助力士蘭微電子持續(xù)增長(zhǎng)

近年來，士蘭微電子積極推進(jìn)“一體化”戰(zhàn)略，通過不斷推出具有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品，積極拓展大型白電、汽車、新能源、工業(yè)、通訊及算力等高端市場(chǎng)領(lǐng)域。得益于這一戰(zhàn)略的成功實(shí)施，公司整體營(yíng)收呈現(xiàn)出快速增長(zhǎng)的良好態(tài)勢(shì)。特別是在碳化硅產(chǎn)品的開發(fā)與應(yīng)用方面，士蘭微電子已經(jīng)建立了涵蓋晶圓、分立器件和模組在內(nèi)的多元化產(chǎn)品線，全面覆蓋了從汽車到工業(yè)電源等多個(gè)重要領(lǐng)域。

目前，士蘭微電子的第二代碳化硅產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，并贏得了市場(chǎng)的廣泛認(rèn)可。而備受期待的第四代碳化硅產(chǎn)品也計(jì)劃在今年內(nèi)正式推向市場(chǎng)，進(jìn)一步鞏固公司在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

擴(kuò)大產(chǎn)能，迎接未來挑戰(zhàn)

為了滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，士蘭微電子正在加速推進(jìn)其碳化硅產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。預(yù)計(jì)到2025年，位于廈門的8英寸碳化硅生產(chǎn)線將實(shí)現(xiàn)通線并投入生產(chǎn)，這將極大提升公司的生產(chǎn)能力與效率。未來，士蘭微電子將繼續(xù)依托先進(jìn)的技術(shù)和強(qiáng)大的生產(chǎn)能力，致力于為客戶提供更高品質(zhì)、更多樣化的碳化硅產(chǎn)品，持續(xù)推動(dòng)功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，為中國(guó)綠色能源事業(yè)貢獻(xiàn)力量。

此次獲得“創(chuàng)新突破獎(jiǎng)”的SCDP120R007NB2CPW4不僅是士蘭微電子技術(shù)創(chuàng)新能力的體現(xiàn)，更是其多年來堅(jiān)持自主研發(fā)、深耕細(xì)作的結(jié)果。隨著新技術(shù)、新產(chǎn)品的不斷涌現(xiàn)，士蘭微電子正逐步成為全球碳化硅功率器件領(lǐng)域的重要參與者之一。