近日，英飛凌宣布其第二代CoolSiC? 650V G2碳化硅（SiC）MOSFET系列新增兩款采用ThinTOLL 8x8封裝的型號——導通電阻分別為26mΩ和33mΩ的器件，型號分別是：IMTA65R026M2H和IMTA65R033M2H。此次發(fā)布進一步完善了該系列產(chǎn)品在RDS(on)覆蓋范圍上的布局，現(xiàn)已涵蓋20mΩ至60mΩ區(qū)間，為設計工程師提供更靈活、更精細的選型方案。代理銷售英飛凌旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您新品產(chǎn)品優(yōu)勢及應用領域。

創(chuàng)新封裝技術，釋放SiC性能潛力

作為一款標準8x8尺寸的封裝形式，ThinTOLL專為充分發(fā)揮CoolSiC G2芯片的高性能而設計。該封裝采用了先進的.XT擴散焊互連技術，在不增加體積的前提下顯著降低了熱阻，突破了傳統(tǒng)8x8封裝在熱循環(huán)方面的限制，使器件在高功率密度應用中仍能保持穩(wěn)定運行。

此外，ThinTOLL封裝還實現(xiàn)了引腳兼容性設計，支持全系列8x8封裝FET的直接替換，有助于簡化PCB布局與系統(tǒng)升級。熱循環(huán)可靠性（TCoB）提升達4倍，顯著增強了器件在復雜工況下的長期穩(wěn)定性與耐用性。

性能亮點：低導通損耗 + 高驅(qū)動靈活性

新款CoolSiC 650V G2 MOSFET延續(xù)了該系列在品質(zhì)因數(shù)（FOMs）方面的領先優(yōu)勢，具備行業(yè)領先的RDS(on)表現(xiàn)，并支持寬范圍的驅(qū)動電壓操作，包括單極驅(qū)動模式（VGS(off)=0），從而降低柵極驅(qū)動損耗，提高系統(tǒng)效率。

這些特性使得器件不僅能在高頻開關應用中表現(xiàn)出色，還能有效減少散熱需求，提升整體能效與功率密度，是實現(xiàn)高效能電力電子系統(tǒng)的關鍵元件。

應用廣泛，助力多領域能效升級

憑借其優(yōu)異的電氣性能與緊湊封裝，新款CoolSiC MOSFET適用于多種高要求應用場景，包括但不限于：

智能電視電源：滿足更高能效與空間利用率需求；

暖通空調(diào)與家電：提升變頻控制系統(tǒng)的效率與可靠性；

微型逆變器：適配光伏能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的高密度設計；

電能轉(zhuǎn)換設備：優(yōu)化服務器電源、通信電源等領域的能效表現(xiàn)。

隨著全球?qū)δ茉葱逝c可持續(xù)發(fā)展的重視不斷提升，碳化硅功率器件正逐步成為高性能電源系統(tǒng)的核心選擇。英飛凌此次推出的ThinTOLL封裝CoolSiC MOSFET，不僅豐富了其SiC產(chǎn)品生態(tài)，也為工業(yè)、消費類及新能源應用提供了更具競爭力的解決方案。如需IMTA65R026M2H和IMTA65R033M2H產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。