在高功率開關(guān)電源設計中，MOSFET的選擇直接關(guān)系到系統(tǒng)的效率、可靠性與成本控制。英飛凌最新推出的650V CoolMOS? 8超結(jié)（SJ）MOSFET系列，為工業(yè)、通信及電動汽車充電等高壓應用場景提供了全新一代功率器件解決方案，不僅繼承了前代產(chǎn)品的技術(shù)優(yōu)勢，還在性能、封裝和系統(tǒng)兼容性方面實現(xiàn)了多項優(yōu)化。代理銷售英飛凌旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您介紹CoolMOS? 8系列：技術(shù)亮點、可選型號及應用價值。

技術(shù)亮點解析

CoolMOS? 8系列基于先進的超結(jié)結(jié)構(gòu)技術(shù)，具備**業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on) × 面積（RDS(on)A）指標*，顯著降低導通損耗，提升整體能效。該系列產(chǎn)品提供從8mΩ到60mΩ的多種導通電阻選項，滿足不同功率等級需求，尤其適用于高頻、高效率拓撲如LLC諧振轉(zhuǎn)換器、圖騰柱PFC等。

一個關(guān)鍵的技術(shù)增強在于其集成快速體二極管，大幅改善反向恢復特性（Qrr），并縮短反向恢復時間（trr），相較競品平均減少35%。這一改進有助于抑制開關(guān)過程中的電壓振鈴，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性，特別適合于需要頻繁換向的應用場景，如電機驅(qū)動或固態(tài)斷路器（SSCB）。

此外，CoolMOS? 8采用了先進互連技術(shù)和頂部散熱封裝（如QDPAK），有效提升熱管理能力，使器件在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定運行。同時，頂部散熱設計也有助于簡化PCB布局，提高模塊化設計靈活性。

系統(tǒng)級優(yōu)勢與應用價值

相較于上一代CoolMOS? 7系列（包括C7和CFD7），CoolMOS? 8在多個維度實現(xiàn)性能躍升：

更高的電壓裕量：650V耐壓可支持277V AC輸入，滿足數(shù)據(jù)中心服務器電源、電信整流器等對寬電壓范圍的需求；

更強的抗浪涌能力：適用于電動汽車充電樁等存在瞬態(tài)高壓沖擊的場合；

低振鈴特性：減少EMI濾波器設計復雜度，加快產(chǎn)品上市周期；

全面封裝選項：涵蓋TO-247、TO-220、QDPAK等多種封裝形式，適配廣泛的應用平臺；

完整的產(chǎn)品組合：包括IPW、IPT、IPDQ、IPZA等多個型號，便于工程師根據(jù)功率密度、散熱方式和成本進行靈活選型。

應用領(lǐng)域廣泛覆蓋

CoolMOS? 8系列適用于以下典型高壓高功率應用：

數(shù)據(jù)中心與UPS系統(tǒng)：高效服務器電源、不間斷電源；

通信設備電源：滿足277V AC輸入要求；

固態(tài)繼電器/斷路器：利用其優(yōu)異的反向恢復特性和高耐用性；

電動汽車充電系統(tǒng)：支持更高輸入電壓和更嚴苛的浪涌保護需求；

工業(yè)SMPS：高頻開關(guān)電源、逆變器、伺服驅(qū)動器等。

CoolMOS? 8系列可選型號

IPDQ65R008CM8

IPDQ65R018CM8

IPT65R018CM8

IPT65R025CM8

IPT65R040CM8

IPW65R018CM8

IPW65R025CM8

IPW65R040CM8

IPW65R060CM8

IPZA65R018CM8

IPZA65R025CM8

IPZA65R040CM

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