隨著人工智能（AI）和高性能計算（HPC）的發(fā)展，高帶寬內(nèi)存（HBM）因其高密度和高帶寬特性，成為AI芯片架構(gòu)中的關(guān)鍵組件。這一趨勢對自動測試設(shè)備（ATE）提出了更高的要求，尤其是在存儲器晶圓探針電源測試環(huán)節(jié)，傳統(tǒng)PhotoMOS開關(guān)正面臨性能瓶頸。

ATE測試面臨的挑戰(zhàn)

在先進存儲器測試中，ATE系統(tǒng)需具備高速、高精度和多通道并行測試能力。PhotoMOS開關(guān)因低電容電阻乘積（CxR）曾廣泛應(yīng)用于該領(lǐng)域，有助于降低信號失真、提升關(guān)斷隔離度，并實現(xiàn)較低的插入損耗。然而，其固有缺陷逐漸顯現(xiàn)：

導(dǎo)通速度慢：由于LED驅(qū)動機制限制，導(dǎo)通時間通常高達200,000 ns，嚴(yán)重制約測試效率；

擴展性差：難以支持大規(guī)模并行測試需求；

可靠性問題：LED老化影響長期穩(wěn)定性，增加維護成本。

這些因素使得PhotoMOS在應(yīng)對當(dāng)前HBM等高頻、高密度存儲器測試時顯得力不從心。

ADI CMOS開關(guān)的替代優(yōu)勢

為解決上述問題，ADI代理授權(quán)、原廠貨源 - 深圳市中芯巨能電子有限公司為您推薦ADI 基于CMOS工藝的新型開關(guān)器件ADG1412，作為PhotoMOS的理想替代方案。其主要優(yōu)勢體現(xiàn)在以下幾個方面：

極快導(dǎo)通速度：CMOS開關(guān)的導(dǎo)通時間僅約100 ns，是PhotoMOS的2000倍，大幅提升測試吞吐量；

低導(dǎo)通電阻（RON）：典型值僅為1.5 Ω，顯著降低插入損耗，提高測量精度；

良好擴展性：支持SPI或并行接口，便于構(gòu)建高密度測試矩陣；

穩(wěn)定性和壽命優(yōu)勢：無LED結(jié)構(gòu)避免了光衰問題，更適合長時間自動化測試任務(wù)。

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測試系統(tǒng)設(shè)計優(yōu)化

在ATE系統(tǒng)中，開關(guān)用于將多個被測器件（DUT）連接至參數(shù)測量單元（PMU），實現(xiàn)電壓施加與電流檢測的高效切換。使用CMOS開關(guān)后，可輕松構(gòu)建矩陣式配置，使單個PMU同時服務(wù)多個DUT，顯著減少硬件投入和布線復(fù)雜度。

以ADG1412為例，其四通道SPST結(jié)構(gòu)、低漏電流和高功率處理能力，使其非常適合用于HBM等高性能存儲器的電源探針測試。此外，CMOS架構(gòu)下的COFF（關(guān)斷電容）雖略高于PhotoMOS，但在DC或低頻測試場景中影響甚微，整體性能更優(yōu)。

性能對比與選型建議

下表列出了CMOS開關(guān)與PhotoMOS開關(guān)的關(guān)鍵指標(biāo)對比：

從數(shù)據(jù)可見，CMOS開關(guān)在多數(shù)關(guān)鍵指標(biāo)上已超越PhotoMOS，尤其適合需要高速、多通道并行測試的應(yīng)用場景。