英飛凌科技近日宣布推出全新的 CoolSiC? MOSFET 650V G2，其導(dǎo)通電阻僅為7mΩ，采用TO-247和TO-247-4 4引腳封裝。這款產(chǎn)品以第1代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ)，加快了系統(tǒng)設(shè)計的成本優(yōu)化，實現(xiàn)高效、緊湊和可靠解決方案。CoolSiC? MOSFET 第2代在硬開關(guān)工況和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進，適用于所有常見的系統(tǒng)設(shè)計，包括交流-直流、直流-直流和直流-交流電路及其組合。

產(chǎn)品型號

IMW65R007M2H

IMZA65R007M2H

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產(chǎn)品特點

優(yōu)異的性能指標(biāo)（FOM）：在關(guān)鍵性能指標(biāo)上顯著改進，提供卓越的性價比。

個位數(shù)RDS(on）：低導(dǎo)通電阻確保高效能。

堅固耐用，整體質(zhì)量高：設(shè)計可靠，適用于嚴(yán)苛的工作環(huán)境。

靈活的驅(qū)動電壓范圍：支持單電源驅(qū)動，VGS（off）=0，避免誤開通。

.XT技術(shù)改進封裝互聯(lián)：提升散熱性能，確保長期穩(wěn)定運行。

應(yīng)用價值

節(jié)省物料清單：減少系統(tǒng)組件，降低整體成本。

最大限度地提高單位成本的系統(tǒng)性能：在有限的成本內(nèi)實現(xiàn)最佳性能。

最高可靠性：確保長時間穩(wěn)定運行，減少維護需求。

實現(xiàn)最高效率和功率密度：優(yōu)化能源利用，提高系統(tǒng)效率。

易于使用：與現(xiàn)有供應(yīng)商完全兼容，簡化設(shè)計和集成過程。

允許無需風(fēng)扇或無散熱器設(shè)計：降低系統(tǒng)復(fù)雜性和成本。

競爭優(yōu)勢

開關(guān)損耗極低：在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異，減少能量損失。

標(biāo)桿性柵極閾值電壓，VGS(th)=4.5V：確保穩(wěn)定的開關(guān)性能。

柵極關(guān)斷電壓為0V，可抵御寄生導(dǎo)通：提高系統(tǒng)的可靠性和安全性。

驅(qū)動電壓靈活，與正負(fù)電源驅(qū)動兼容：適應(yīng)多種電源配置，增強設(shè)計靈活性。

用于硬換流的堅固體二極管：在硬開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)穩(wěn)定，減少故障風(fēng)險。

.XT互聯(lián)技術(shù)可實現(xiàn)同類最佳的散熱性能：確保高效的熱量管理，延長器件壽命。

應(yīng)用領(lǐng)域

開關(guān)電源（SMPS）：提供高效、可靠的電源轉(zhuǎn)換。

光伏逆變器：優(yōu)化太陽能發(fā)電系統(tǒng)的性能。

儲能系統(tǒng)：提高能量存儲和釋放的效率。

不間斷電源（UPS）：確保電力供應(yīng)的穩(wěn)定性和可靠性。

電動汽車充電：加速電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展。

電機驅(qū)動：提升電機控制的精度和效率。

總結(jié)

英飛凌推出的 CoolSiC? MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO-247和TO-247-4封裝，不僅在性能上實現(xiàn)了顯著提升，還在可靠性和成本優(yōu)化方面表現(xiàn)出色。這些特性使其成為多種應(yīng)用領(lǐng)域的理想選擇，特別是在需要高效能和高可靠性的系統(tǒng)設(shè)計中。英飛凌通過不斷創(chuàng)新，繼續(xù)引領(lǐng)功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。