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英飛凌推出 CoolSiC? MOSFET 650V G2,7mΩ,采用TO247和TO247-4封裝

來源:英飛凌官網| 發(fā)布日期:2024-11-28 16:00:01 瀏覽量:

英飛凌科技近日宣布推出全新的 CoolSiC? MOSFET 650V G2,其導通電阻僅為7mΩ,采用TO-247和TO-247-4 4引腳封裝。這款產品以第1代技術的優(yōu)勢為基礎,加快了系統(tǒng)設計的成本優(yōu)化,實現高效、緊湊和可靠解決方案。CoolSiC? MOSFET 第2代在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進,適用于所有常見的系統(tǒng)設計,包括交流-直流、直流-直流和直流-交流電路及其組合。

英飛凌推出 CoolSiC? MOSFET 650V G2,7mΩ,采用TO247和TO247-4封裝

產品型號

IMW65R007M2H

IMZA65R007M2H

如需采購、申請樣片測試、BOM配單等需求,請加客服微信:13310830171。

產品特點

優(yōu)異的性能指標(FOM):在關鍵性能指標上顯著改進,提供卓越的性價比。

個位數RDS(on):低導通電阻確保高效能。

堅固耐用,整體質量高:設計可靠,適用于嚴苛的工作環(huán)境。

靈活的驅動電壓范圍:支持單電源驅動,VGS(off)=0,避免誤開通。

.XT技術改進封裝互聯:提升散熱性能,確保長期穩(wěn)定運行。

應用價值

節(jié)省物料清單:減少系統(tǒng)組件,降低整體成本。

最大限度地提高單位成本的系統(tǒng)性能:在有限的成本內實現最佳性能。

最高可靠性:確保長時間穩(wěn)定運行,減少維護需求。

實現最高效率和功率密度:優(yōu)化能源利用,提高系統(tǒng)效率。

易于使用:與現有供應商完全兼容,簡化設計和集成過程。

允許無需風扇或無散熱器設計:降低系統(tǒng)復雜性和成本。

競爭優(yōu)勢

開關損耗極低:在高頻開關應用中表現優(yōu)異,減少能量損失。

標桿性柵極閾值電壓,VGS(th)=4.5V:確保穩(wěn)定的開關性能。

柵極關斷電壓為0V,可抵御寄生導通:提高系統(tǒng)的可靠性和安全性。

驅動電壓靈活,與正負電源驅動兼容:適應多種電源配置,增強設計靈活性。

用于硬換流的堅固體二極管:在硬開關應用中表現穩(wěn)定,減少故障風險。

.XT互聯技術可實現同類最佳的散熱性能:確保高效的熱量管理,延長器件壽命。

應用領域

開關電源(SMPS):提供高效、可靠的電源轉換。

光伏逆變器:優(yōu)化太陽能發(fā)電系統(tǒng)的性能。

儲能系統(tǒng):提高能量存儲和釋放的效率。

不間斷電源(UPS):確保電力供應的穩(wěn)定性和可靠性。

電動汽車充電:加速電動汽車充電基礎設施的發(fā)展。

電機驅動:提升電機控制的精度和效率。

總結

英飛凌推出的 CoolSiC? MOSFET 650V G2,7mΩ,采用TO-247和TO-247-4封裝,不僅在性能上實現了顯著提升,還在可靠性和成本優(yōu)化方面表現出色。這些特性使其成為多種應用領域的理想選擇,特別是在需要高效能和高可靠性的系統(tǒng)設計中。英飛凌通過不斷創(chuàng)新,繼續(xù)引領功率半導體技術的發(fā)展。

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