英飛凌科技近期推出了全新的CoolSiC? MOSFET 400V G2系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品將高堅(jiān)固性與超低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻相結(jié)合，顯著提升了系統(tǒng)成本效益。400V SiC MOSFET特別適用于2電平和3電平硬開(kāi)關(guān)及軟開(kāi)關(guān)拓?fù)洌軌蛱峁┳吭降墓β拭芏群拖到y(tǒng)效率。主要應(yīng)用領(lǐng)域包括人工智能服務(wù)器電源供應(yīng)單元（PSU）、開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）、電機(jī)控制、可再生能源與儲(chǔ)能系統(tǒng)以及D類(lèi)音頻放大器中的功率轉(zhuǎn)換。

產(chǎn)品型號(hào)

CoolSiC? MOSFET 400V G2系列提供了多個(gè)型號(hào)，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求：

IMBG40R011M2H

IMBG40R015M2H

IMBG40R025M2H

IMBG40R036M2H

IMBG40R045M2H

IMT40R011M2H

IMT40R015M2H

IMT40R025M2H

IMT40R036M2H

IMT40R045M2H

產(chǎn)品特點(diǎn)

優(yōu)于650V SiC MOSFET的FOM：在相同條件下，400V SiC MOSFET表現(xiàn)出更好的優(yōu)值因子（FOM）。

快速換流二極管：具有低Qfr值，有助于提高開(kāi)關(guān)速度和效率。

低RDS(on)溫度系數(shù)：即使在高溫環(huán)境下，也能保持穩(wěn)定的導(dǎo)通電阻。

柵極閾值電壓VGS(th)=4.5V：確保了穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)特性。

單電源驅(qū)動(dòng)：支持VGSoff=0V，簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)。

100%經(jīng)過(guò)雪崩測(cè)試：增強(qiáng)了器件的可靠性。

可控的開(kāi)關(guān)速度：能夠在高dV/dt運(yùn)行期間保持低過(guò)沖。

.XT互聯(lián)技術(shù)：提供一流的熱性能。

應(yīng)用價(jià)值

高系統(tǒng)效率：優(yōu)化的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻提高了整體系統(tǒng)效率。

高功率密度設(shè)計(jì)：緊湊的封裝和高效的性能使系統(tǒng)設(shè)計(jì)更加緊湊。

高設(shè)計(jì)魯棒性：低RDS(on)溫度系數(shù)和100%雪崩測(cè)試確保了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

減少EMI濾波：低Qfr值和可控的開(kāi)關(guān)速度有助于減少電磁干擾（EMI）。

適用于硬開(kāi)關(guān)拓?fù)洌涸谟查_(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

支持創(chuàng)新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：如3L PFC（三電平功率因數(shù)校正）和ANPC（有源中點(diǎn)箝位）拓?fù)洹?/p>

與高壓SiC MOSFET相比的優(yōu)勢(shì)：

更低的Ron x A值

更高的FOM

RDS(on)與Tj曲線平坦，100°C時(shí)增幅最小

低Qgd、Qoss、fr和Eoss

高壓擺率控制、線性Coss和低Qfr

高柵極驅(qū)動(dòng)閾值電壓Vth,typ=4.5V，支持0V-18V驅(qū)動(dòng)

較低的米勒比，減輕Cgd/Vds/dt引起的寄生導(dǎo)通

目標(biāo)應(yīng)用

AI服務(wù)器電源

開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）

電機(jī)控制

輕型電動(dòng)汽車(chē)

叉車(chē)

電動(dòng)飛機(jī)

固態(tài)斷路器

太陽(yáng)能系統(tǒng)

能源儲(chǔ)存

D類(lèi)音頻放大器

英飛凌CoolSiC? MOSFET 400V G2系列產(chǎn)品的推出，不僅為電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)者提供了更多的選擇，還通過(guò)其卓越的性能和可靠性，推動(dòng)了相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步。我司代理銷(xiāo)售英飛凌旗下全系列IC電子元器件，如需產(chǎn)品規(guī)格書(shū)、樣片測(cè)試、采購(gòu)、BOM配單等需求，請(qǐng)加客服微信：13310830171。