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瑞薩電子推出面向第二代DDR5 MRDIMM的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案

來源:瑞薩電子官網(wǎng)| 發(fā)布日期:2024-11-28 14:00:01 瀏覽量:

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(TSE:6723)宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內(nèi)存模塊(MRDIMM)的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案。隨著人工智能(AI)、高性能計算(HPC)和其他數(shù)據(jù)中心應用對內(nèi)存帶寬的要求不斷提高,新的DDR5 MRDIMM應運而生,其運行速度高達每秒12,800兆次傳輸(MT/s),與第一代解決方案相比內(nèi)存帶寬提高了1.35倍。瑞薩與包括CPU和內(nèi)存供應商在內(nèi)的行業(yè)領(lǐng)導者以及終端客戶合作,在新型MRDIMM的設計、開發(fā)與部署方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。

關(guān)鍵組件介紹

瑞薩設計并推出了三款全新關(guān)鍵組件:

RRG50120 第二代多路復用寄存時鐘驅(qū)動器(MRCD):用于MRDIMM,緩沖主機控制器與DRAM之間的命令/地址(CA)總線、芯片選擇和時鐘。與第一代產(chǎn)品相比,其功耗降低45%,這對于超高速系統(tǒng)的熱管理而言是一個關(guān)鍵指標。

RRG51020 第二代多路復用數(shù)據(jù)緩沖器(MDB):用于MRDIMM,緩沖從主機CPU到DRAM的數(shù)據(jù)。瑞薩的新MRCD和MDB均支持高達每秒12.8吉比特(Gbps)的速度。

RRG53220 第二代電源管理集成電路(PMIC):提供出色的電氣過壓保護和卓越的能效,并針對高電流及低電壓操作進行優(yōu)化。

我司是瑞薩電子代理商,如需采購、申請樣片測試、產(chǎn)品規(guī)格書等需求,請加客服微信:13310830171。

此外,瑞薩還批量生產(chǎn)溫度傳感器(TS)和串行存在檢測(SPD)集線器解決方案,并為包括行業(yè)標準下一代MRDIMM在內(nèi)的各類服務器和客戶端DIMM提供全面的芯片組解決方案。作為內(nèi)存接口領(lǐng)域的卓越廠商,瑞薩致力于為用戶提供高質(zhì)量、高性能的產(chǎn)品和服務。

瑞薩電子推出面向第二代DDR5 MRDIMM的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案

行業(yè)領(lǐng)導者的評價

Davin Lee,瑞薩模擬與連接及嵌入式處理事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理表示:“AI和HPC應用對更高性能系統(tǒng)的需求持續(xù)增長。瑞薩緊跟這一趨勢,與行業(yè)領(lǐng)導者攜手開發(fā)下一代技術(shù)及規(guī)范。這些公司依靠瑞薩提供的專業(yè)技術(shù)知識和生產(chǎn)能力來滿足日益增長的需求。我們面向第二代DDR5 MRDIMM的最新芯片組解決方案,體現(xiàn)了瑞薩在這一市場領(lǐng)域的卓越地位。”

供貨信息

瑞薩現(xiàn)已開始提供RRG50120 MRCD、RRG51020 MDB和RRG53220 PMIC的樣品。預計新產(chǎn)品將于2025年上半年投產(chǎn)。

總結(jié)

瑞薩電子推出的面向第二代DDR5 MRDIMM的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案,不僅在技術(shù)上實現(xiàn)了顯著的性能提升,還為數(shù)據(jù)中心應用提供了更高的內(nèi)存帶寬和能效。這些創(chuàng)新產(chǎn)品將助力AI、HPC和其他高性能計算應用的進一步發(fā)展,滿足未來市場的需求。

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