隨著人工智能(AI)技術(shù)的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心面臨著日益增長(zhǎng)的計(jì)算需求，這也導(dǎo)致了電力消耗的急劇增加。與普通搜索引擎請(qǐng)求相比，AI驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用程序需要超過(guò)10倍的電力。因此，提高數(shù)據(jù)中心的能效成為了當(dāng)務(wù)之急。安森美(onsemi)推出的PowerTrench? T10系列和EliteSiC 650V MOSFET組合方案，為解決這一挑戰(zhàn)提供了有力支持。

PowerTrench? T10系列與EliteSiC 650V MOSFET組合方案的優(yōu)勢(shì)

該方案通過(guò)在緊湊的封裝尺寸下提供卓越的能效和熱性能，顯著降低了能量轉(zhuǎn)換過(guò)程中的功率損耗。使用PowerTrench? T10系列和EliteSiC 650V MOSFET解決方案，數(shù)據(jù)中心能夠減少約1%的電力損耗。考慮到全球數(shù)據(jù)中心的總能耗，這一小小的改進(jìn)如果得到廣泛實(shí)施，每年可以節(jié)省大約10太瓦時(shí)(TWh)的能源消耗，這相當(dāng)于為近百萬(wàn)戶家庭提供一年的電力供應(yīng)。

 EliteSiC 650V MOSFET的高性能特點(diǎn)

- 卓越的開關(guān)性能：EliteSiC 650V MOSFET提供了極佳的開關(guān)性能和更低的器件電容，使得數(shù)據(jù)中心和儲(chǔ)能系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率。

- 顯著降低開關(guān)損耗：新一代SiC MOSFET相較于上一代產(chǎn)品，柵極電荷減半，并且將儲(chǔ)存在輸出電容(Eoss)和輸出電荷(Qoss)中的能量減少了44%。

- 無(wú)拖尾電流：與超級(jí)結(jié)(SJ) MOSFET相比，它們?cè)陉P(guān)斷時(shí)沒有拖尾電流，即使在高溫條件下也能表現(xiàn)出色，進(jìn)一步降低了開關(guān)損耗。

- 小型化與成本效益：客戶可以利用這些優(yōu)勢(shì)提高工作頻率，同時(shí)減小系統(tǒng)元件的尺寸，從而全面降低系統(tǒng)成本。

PowerTrench? T10系列的特點(diǎn)

- 高電流處理能力：PowerTrench? T10系列專為處理大電流而設(shè)計(jì)，尤其適用于DC-DC功率轉(zhuǎn)換級(jí)。

- 緊湊的封裝與高功率密度：通過(guò)屏蔽柵極溝槽設(shè)計(jì)，該系列實(shí)現(xiàn)了超低柵極電荷和小于1毫歐的導(dǎo)通電阻RDS(on)，從而在緊湊的封裝尺寸下提供了高功率密度。

- 軟恢復(fù)體二極管：軟恢復(fù)體二極管和較低的Qrr有效減少了振鈴、過(guò)沖和電氣噪聲，確保了在各種應(yīng)力條件下的最佳性能、可靠性和穩(wěn)健性。

- 符合開放式機(jī)架V3基本規(guī)范：該組合解決方案符合超大規(guī)模運(yùn)營(yíng)商所需的嚴(yán)格的開放式機(jī)架V3(ORV3)基本規(guī)范，支持下一代大功率處理器。

總之，安森美(onsemi)的PowerTrench? T10系列和EliteSiC 650V MOSFET組合方案不僅顯著提高了數(shù)據(jù)中心的能效，還為未來(lái)的高性能計(jì)算需求提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。如需產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測(cè)試、采購(gòu)、BOM配單等需求，請(qǐng)加客服微信：13310830171。