安森美T10技術(shù)：提升功率級(jí)MOSFET效率的理想選擇

來源：安森美官網(wǎng)| 發(fā)布日期：2024-07-04 12:00:01 瀏覽量：

功率級(jí)內(nèi)部的MOSFET在電路中扮演著至關(guān)重要的角色，其能否承受高電流并對整個(gè)系統(tǒng)的效率產(chǎn)生顯著影響。在晶體管上，導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗共同構(gòu)成了功率的耗散。為了在這兩者之間取得平衡，需要考慮導(dǎo)通電阻RDS(ON)、柵極電荷以及寄生元件等主要參數(shù)。

安森美T10技術(shù)是一種用于低壓和中壓MOSFET的新型技術(shù)，采用屏蔽柵極溝道設(shè)計(jì)，具有超低的QG和極低的RDS(ON) < 1m特性。通過其先進(jìn)的軟恢復(fù)體二極管（Qrr, Trr），T10技術(shù)能夠減少振鈴、過沖和噪聲，實(shí)現(xiàn)了性能和恢復(fù)特性之間的完美平衡。

T10屏蔽柵極溝槽技術(shù)主要應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，適用于各種需要40V和80V MOSFET的新型48V和傳統(tǒng)12V應(yīng)用。該技術(shù)旨在優(yōu)化效率，降低輸出電容和關(guān)鍵性能指標(biāo)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更低的RDS(ON)和QG。例如，40V溝槽技術(shù)產(chǎn)品NVMFWS0D4N04XM的RDS(ON)可降至0.42m?，采用了緊湊的5x6封裝。針對80V的選項(xiàng)NVBLS0D8N08X，RDS(ON)可達(dá)到0.79m?。對于低壓FET來說，襯底電阻可能占據(jù)RDS(ON)的相當(dāng)比例。

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，采用具有較低電阻率的襯底和更薄晶圓變得越來越關(guān)鍵。在T10技術(shù)下，安森美成功減小了晶圓的厚度，將40V MOSFET中襯底對RDS(ON)的影響從約50%降低到22%。更薄的襯底也提高了器件的熱性能，進(jìn)一步提升了產(chǎn)品的整體性能。

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