近年來，隨著人工智能計(jì)算需求的急劇增長，數(shù)據(jù)中心的能耗問題日益凸顯。為滿足這一巨大的處理需求，數(shù)據(jù)中心的電力消耗不斷攀升，提高能效性已成當(dāng)務(wù)之急。搭載人工智能的計(jì)算引擎相較于常規(guī)搜索引擎需要消耗超過10倍的電力，據(jù)預(yù)測，全球數(shù)據(jù)中心的電力需求未來將達(dá)到約1,000太瓦時(shí)（TWh），問題日益嚴(yán)峻。

在這個(gè)背景下，安森美推出了最新一代T10 PowerTrench?系列和EliteSiC 650V MOSFET，為數(shù)據(jù)中心應(yīng)用提供了強(qiáng)大的解決方案。這一產(chǎn)品組合在更小的封裝尺寸下提供了卓越的能效和卓越的熱性能。采用T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V解決方案，數(shù)據(jù)中心可降低約1%的電力損耗。若在全球數(shù)據(jù)中心范圍內(nèi)推廣應(yīng)用，每年可減少約10太瓦時(shí)的能源消耗，相當(dāng)于為數(shù)百萬戶家庭提供全年的用電量。

EliteSiC 650V MOSFET具有出色的開關(guān)性能和較低的器件電容，在數(shù)據(jù)中心和儲(chǔ)能系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的效率。相較于上一代產(chǎn)品，新一代碳化硅（SiC）MOSFET的柵極電荷減半，并將儲(chǔ)存在輸出電容（Eoss）和輸出電荷（Qoss）中的能量減少了44%。此外，在關(guān)斷時(shí)沒有拖尾電流，在高溫下表現(xiàn)優(yōu)越，可顯著降低開關(guān)損耗。這使得客戶能夠在提高工作頻率的同時(shí)減小系統(tǒng)元件的尺寸，全面降低系統(tǒng)成本。

T10 PowerTrench系列專門設(shè)計(jì)用于處理DC-DC功率轉(zhuǎn)換中關(guān)鍵的大電流，以緊湊的封裝尺寸提供更高的功率密度和卓越的熱性能。通過屏蔽柵極溝槽設(shè)計(jì)，該系列具有超低柵極電荷和小于1毫歐的導(dǎo)通電阻RDS（on）。此外，軟恢復(fù)體二極管和較低的Qrr有效減少了振鈴、過沖和電氣噪聲，保證了在應(yīng)力下的最佳性能、可靠性和穩(wěn)健性。本組合解決方案還符合超大規(guī)模運(yùn)營商對嚴(yán)格的開放機(jī)架V3（ORV3）基本規(guī)范的需求，支持下一代大功率處理器的發(fā)展。如需產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。