3月21日消息稱，華為正在積極研發(fā)一項引領(lǐng)潮流的“磁電”存儲技術(shù)，該技術(shù)有望徹底改變數(shù)據(jù)存儲行業(yè)的現(xiàn)狀，引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。

據(jù)透露，這項新型“磁電磁盤”（MED）技術(shù)不僅在速度、能效和容量等方面顯著超越目前的SSD等存儲設(shè)備，更在技術(shù)突破上取得了重大進(jìn)展。在能耗方面，新型“磁電”存儲每PB（皮字節(jié)）耗電僅為71瓦，較傳統(tǒng)磁性硬盤驅(qū)動器（HDD）節(jié)能高達(dá)90%，這將為數(shù)據(jù)中心和大型企業(yè)帶來巨大的能源成本節(jié)省。

在性能方面，華為預(yù)計每機架的MED性能將達(dá)到驚人的8GB/s，這一速度比檔案磁帶裝置的最高性能提升了2.5倍，將極大地提高數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)遷移速度，提升處理大規(guī)模數(shù)據(jù)時的效率。此外，新型“磁電”存儲芯片技術(shù)還在容量上取得突破，第一代MED設(shè)備預(yù)計每個“磁盤”可提供約24TB的容量，使得一個機架系統(tǒng)能夠積累超過10PB的數(shù)據(jù)。

令人驚訝的是，盡管提供了如此巨大的容量，該系統(tǒng)的功耗僅為2千瓦。這一創(chuàng)新解決方案計劃于2025年推出，為行業(yè)帶來全新的技術(shù)標(biāo)桿。

行業(yè)分析人士表示，華為即將推出的磁電存儲產(chǎn)品可能利用磁電耦合效應(yīng)實現(xiàn)電場驅(qū)動磁翻轉(zhuǎn)，構(gòu)建超低能耗產(chǎn)品。目前，主流的半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)已被海外龍頭企業(yè)主導(dǎo)，而新型存儲器領(lǐng)域尚未有公司占據(jù)絕對優(yōu)勢，華為此次發(fā)布磁電存儲產(chǎn)品被視為我國存儲產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型競爭的重要契機。

基于磁電耦合效應(yīng)的電控磁研究展示了未來超低能耗器件應(yīng)用的潛力，但在器件化道路上仍面臨諸多挑戰(zhàn)。目前，電壓調(diào)控磁各向異性（VCMA）技術(shù)已開始在磁存儲產(chǎn)業(yè)初步推廣，用于降低磁存儲器件能耗。

“磁電存儲”作為一項新興技術(shù)方案，尚未形成行業(yè)統(tǒng)一規(guī)范，華為磁電存儲產(chǎn)品的具體內(nèi)涵和外延仍待進(jìn)一步明確。

目前，這一存儲技術(shù)的發(fā)展與我國算力發(fā)展和存儲建設(shè)密切相關(guān)。當(dāng)前，國內(nèi)磁存儲主要依賴進(jìn)口，因此運營商、金融、廣電、科研高校等單位和關(guān)鍵行業(yè)迫切需要國產(chǎn)新型存儲解決方案。隨著華為磁電存儲技術(shù)的不斷突破和推進(jìn)，我國存儲產(chǎn)業(yè)有望迎來新的發(fā)展機遇。