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據(jù)韓媒報(bào)道,德州儀器(TI)的一位高層透露,該公司正計(jì)劃將其多個(gè)晶圓廠生產(chǎn)的6英寸氮化鎵(GaN)芯片轉(zhuǎn)移到8英寸晶圓廠進(jìn)行生產(chǎn)。這一舉措旨在提高生產(chǎn)效率并降低GaN芯片的價(jià)格。
德州儀器的韓國公司經(jīng)理Jerome Shin在首爾舉行的新聞發(fā)布會(huì)上表示,該公司正在籌備在達(dá)拉斯和日本會(huì)津建造8英寸晶圓廠,這將使德州儀器能夠提供更有競(jìng)爭(zhēng)力的GaN芯片。Jerome Shin指出,盡管人們過去普遍認(rèn)為GaN芯片比碳化硅(SiC)芯片更昂貴,但自2022年以來這種看法已經(jīng)發(fā)生了變化。隨著德州儀器將生產(chǎn)規(guī)模從6英寸晶圓廠轉(zhuǎn)移到8英寸晶圓廠,每個(gè)晶圓上能夠容納更多芯片,這將提高公司的生產(chǎn)力并使GaN芯片的量產(chǎn)價(jià)格更為實(shí)惠。
目前,GaN芯片的價(jià)格已經(jīng)低于SiC芯片。未來,隨著德州儀器達(dá)拉斯和日本會(huì)津工廠的改造完成,公司將能夠提供更具競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案。預(yù)計(jì)達(dá)拉斯工廠的擴(kuò)產(chǎn)將于2025年完成,然而Jerome Shin并未透露日本會(huì)津工廠的時(shí)間表。
市場(chǎng)人士擔(dān)心,德州儀器的這一計(jì)劃可能導(dǎo)致GaN芯片價(jià)格全面下跌。除了GaN芯片,德州儀器還在將電源管理芯片的生產(chǎn)從8英寸晶圓廠轉(zhuǎn)移到12英寸晶圓。這一舉措已經(jīng)導(dǎo)致電源管理芯片價(jià)格下跌,但也使得德州儀器節(jié)省了超過10%的成本。