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羅姆推出新產(chǎn)品EcoGaN? Power Stage IC,助力功率轉(zhuǎn)換效率提升和器件小型化

來源:互聯(lián)網(wǎng)| 發(fā)布日期:2023-07-27 10:00:01 瀏覽量:

近日,羅姆半導體(ROHM)又推出了一款全新的產(chǎn)品,名為EcoGaN? Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”。該產(chǎn)品具備取代現(xiàn)有Si MOSFET的能力,從而可將器件體積減少99%,功率損耗降低55%。這將有助于減小服務器和AC適配器的體積,并降低電能損耗。

針對可持續(xù)發(fā)展的需求,ROHM半導體技術(shù)中心High Power Solution部門負責人周勁介紹說,GaN HEMT是一種被寄予厚望的器件,可以提高功率轉(zhuǎn)換效率和實現(xiàn)器件小型化。然而,與Si MOSFET相比,GaN HEMT的柵極處理較為困難,例如驅(qū)動電壓低、易于誤啟動,柵極耐電壓低,存在損壞風險。為此,必須與驅(qū)動柵極用的驅(qū)動器結(jié)合使用,這不僅增加了設(shè)計復雜度,還會增加系統(tǒng)成本。

羅姆推出新產(chǎn)品EcoGaN? Power Stage IC,助力功率轉(zhuǎn)換效率提升和器件小型化

為了解決這個問題,ROHM結(jié)合其擅長的功率和模擬兩種核心技術(shù)優(yōu)勢,開發(fā)出了一款集成了功率半導體和模擬半導體的Power Stage IC。換句話說,該產(chǎn)品集成了新一代功率器件650V GaN HEMT,具備專用柵極驅(qū)動器、新增功能以及外圍元器件。此外,該產(chǎn)品支持更寬的驅(qū)動電壓范圍(2.5V~30V),適用于替代現(xiàn)有的Si MOSFET。EcoGaN? Power Stage IC具備以下三個特點:

首先,它支持各種一次側(cè)電源電路。由于驅(qū)動范圍寬、啟動時間短,并且傳輸延遲時間短,因此可以廣泛應用于各種AC-DC電路,包括反激式、半橋、交錯式PFC和圖騰柱PFC。同時,使用該產(chǎn)品可以簡化整體環(huán)路等設(shè)計。

其次,該產(chǎn)品進一步降低了功耗。在導通損耗影響較小的情況下,相較于Si MOSFET單體,功耗減少了55%。與普通產(chǎn)品相比,它仍然可以達到20%左右的功耗減小程度。

同時,該產(chǎn)品還實現(xiàn)了進一步的小型化。一般來說,普通產(chǎn)品涉及9個相關(guān)元器件,而羅姆的新產(chǎn)品通過簡化驅(qū)動方式,只需要1個外置Power Stage相關(guān)元器件。

目前,Power Stage IC有兩款型號:BM3G007MUV-LB和BM3G015MUV-LB,導通電阻分別為70毫歐和150毫歐。此外,羅姆還提供了三款評估板,BM3G007MUV-EVK-002用于評估BM3G007MUV-LB,BM3G015MUV-LB和BM3G015MUV-LB的性能和特點。這些評估板旨在幫助客戶快速評估和驗證EcoGaN? Power Stage IC的性能。

據(jù)介紹,BM3G007MUV-LB和BM3G015MUV-LB是兩種功率級別不同的Power Stage IC。BM3G007MUV-LB的導通電阻為70毫歐,適用于低功率應用,而BM3G015MUV-LB的導通電阻為150毫歐,適用于中等功率應用。這兩款產(chǎn)品均采用了ROHM自家研發(fā)的650V GaN HEMT技術(shù),具備高效率和小型化的特點。

針對這兩款Power Stage IC,ROHM提供了三款評估板,分別是BM3G007MUV-EVK-002、BM3G015MUV-EVK-002和BM3G015MUV-EVK-003。這些評估板旨在幫助客戶快速評估EcoGaN? Power Stage IC的性能,并驗證其在實際應用中的可行性。

評估板BM3G007MUV-EVK-002適用于評估BM3G007MUV-LB,而BM3G015MUV-EVK-002和BM3G015MUV-EVK-003適用于評估BM3G015MUV-LB。這些評估板提供了完整的電路和驅(qū)動器,以及各種測試點和接口,方便客戶進行性能測試和系統(tǒng)驗證。

通過使用這些評估板,客戶可以快速了解EcoGaN? Power Stage IC的性能特點,包括功率轉(zhuǎn)換效率、功率因數(shù)改善、小型化等。同時,客戶還可以驗證這些器件在不同應用場景下的穩(wěn)定性和可靠性。

總體而言,羅姆的EcoGaN? Power Stage IC系列與GaN器件相結(jié)合,為客戶提供了靈活選擇的機會。預計在2024年一季度,準偕振AC-DC+GaN的器件和功率因數(shù)改善+GaN的器件將開始量產(chǎn),而半橋+GaN的器件預計在2024年第二季度量產(chǎn)。這些新產(chǎn)品的推出將進一步推動功率轉(zhuǎn)換效率的提升和器件的小型化,為可持續(xù)發(fā)展的電力應用提供了更加高效和可靠的解決方案。

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