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IKW75N60T是 Infineon(英飛凌)具有反并聯(lián)二極管的 600 V、75 A IGBT 分立器件,代理銷售Infineon(英飛凌)旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您提供IKW75N60T中文參數(shù)、特性、應(yīng)用領(lǐng)域及引腳圖。
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IGBT 類型:溝道和場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80A
Current - Collector Pulsed (Icm):225A
不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):2V @ 15V,75A
功率 - 最大值:428W
Switching Energy:4.5mJ
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge:470nC
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:33ns/330ns
Test Condition:400V, 75A, 5 歐姆, 15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):121ns
封裝/外殼:TO-247-3
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-3
最低的 V CEsat 壓降可降低傳導(dǎo)損耗
低開關(guān)損耗
由于 V CEsat的正溫度系數(shù),可輕松實(shí)現(xiàn)并行開關(guān)功能
非常柔軟、快速恢復(fù)的反并聯(lián)發(fā)射極控制二極管
高耐用性、溫度穩(wěn)定性能
低 EMI 輻射
低柵極電荷
參數(shù)分布非常緊密
家用電器
電機(jī)控制及驅(qū)動(dòng)器
光伏
住宅暖通空調(diào)
電信基礎(chǔ)設(shè)施
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