英飛凌非隔離型低邊柵極驅(qū)動(dòng)芯片選型表

來(lái)源：中芯巨能：提供選型指導(dǎo)+現(xiàn)貨供應(yīng)+技術(shù)支持| 發(fā)布日期：2024-08-04 12:00:01 瀏覽量：

英飛凌非隔離型低邊柵極驅(qū)動(dòng)芯片采用低壓電路，并采用高壓柵極驅(qū)動(dòng)器的強(qiáng)大技術(shù)和最先進(jìn)的 0.13 μm 工藝。用于控制 MOSFET 和 IGBT 的單通道和雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC，制造技術(shù)使高電流柵極驅(qū)動(dòng)器能夠以行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 DSO-8 和小尺寸 SOT23 和 WSON 封裝形式實(shí)現(xiàn)高功率密度應(yīng)用。英飛凌代理商為您提供英飛凌非隔離型低邊柵極驅(qū)動(dòng)芯片選型表。

英飛凌非隔離型低邊柵極驅(qū)動(dòng)芯片

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產(chǎn)品類別	驅(qū)動(dòng)配置	封裝
2EDF7275FXUMA2	半橋	PG-DSO-16-11
2EDF7275KXUMA2	高側(cè)和低側(cè)	PG-TFLGA-13
2EDF8275FXUMA1	高側(cè)	PG-DSO-16
2EDF9275FXUMA1	半橋	PG-DSO-16
2EDS7165HXUMA1	高側(cè)和低側(cè)	PG-DSO-16
2EDS8165HXUMA2	高側(cè)	PG-DSO-16
2EDS9265HXUMA1	半橋	PG-DSO-16
2EDF7175FXUMA2	高側(cè)和低側(cè)	PG-DSO-16
2EDS8265HXUMA2	高側(cè)	PG-DSO-16
1ED44171N01BXTSA1	半橋	PG-SOT23-5
1ED44173N01BXTSA1	高側(cè)和低側(cè)	PG-SOT23-6
1ED44175N01BXTSA1	高側(cè)	PG-SOT23-6
1ED44176N01FXUMA1	半橋	PG-DSO-8
1EDN6550BXTSA1	高側(cè)和低側(cè)	PG-SOT23-6
1EDN7511BXUSA1	高側(cè)	PG-SOT23-6
1EDN7512BXTSA1	半橋	PG-SOT23-5
1EDN7512GXTMA1	高側(cè)和低側(cè)	PG-WSON-6
1EDN7550BXTSA1	高側(cè)	PG-SOT23-6
1EDN7550UXTSA1	半橋	PG-TSNP-6
1EDN8511BXUSA1	高側(cè)和低側(cè)	PG-SOT23-6
1EDN8550BXTSA1	高側(cè)	PG-SOT23-6
1EDN9550BXTSA1	半橋	PG-SOT23-6
2EDN7434FXTMA1	高側(cè)和低側(cè)	PG-DSO-8
2EDN7434RXTMA1	高側(cè)	PG-TSSOP-8
2EDN7533BXTSA1	半橋	PG-SOT23-6
2EDN7533FXTMA1	高側(cè)和低側(cè)	PG-DSO-8
2EDN7533RXTMA1	高側(cè)	PG-TSSOP-8
2EDN7534BXTSA1	高側(cè)和低側(cè)	PG-SOT23-6
2EDN7534FXTMA1	高側(cè)	PG-DSO-8
2EDN7534GXTMA1	半橋	PG-WSON-8
2EDN7534RXTMA1	低側(cè)	PG-TSSOP-8
2EDN8533FXTMA1	低側(cè)	PG-DSO-8
2EDN8533RXTMA1	低側(cè)	PG-TSSOP-8
2EDN8534FXTMA1	低側(cè)	PG-DSO-8
2EDN8534RXTMA1	低側(cè)	PG-TSSOP-8
IR2121PBF	高側(cè)	PDIP8
IRS44273LTRPBF	低側(cè)	SOT23
IRS4427STRPBF	低側(cè)	SOIC 8N
2EDN7524GXTMA1	低側(cè)	PG-WSON-8
2EDN7524RXTMA1	低側(cè)	PG-TSSOP-8
IR4427PBF	高側(cè)	PDIP8
IR4427STRPBF	低側(cè)	SOIC 8N
2EDN7523RXUMA1	高側(cè)	PG-TSSOP-8
2EDN7524FXTMA1	低側(cè)	PG-DSO-8